[发明专利]一种高纹波电流的CD11LH型节能灯铝电解电容器无效
申请号: | 201310166653.2 | 申请日: | 2013-05-08 |
公开(公告)号: | CN103280331A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李志刚;徐亮 | 申请(专利权)人: | 南通星晨电子有限公司 |
主分类号: | H01G9/07 | 分类号: | H01G9/07;H01G9/00;H01G9/04 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纹波 电流 cd11lh 节能灯 铝电解电容器 | ||
技术领域
本发明涉及电子领域,具体是一种CD11LH型节能灯用的,能适应较为恶劣的环境的铝电解电容器。
背景技术
铝电解电容器其因低成本的特点,一直都是电源的常用选择。但是,它们寿命有限,且易受高温和低温极端条件的影响。而且,铝电解电容器的使用与纹波电流也有较为直接的关系。
纹波电流的定义:流经电容器的交流电流的 RMS 值,其在电容电压上的表现为脉动或纹波电压。电容器最大允许纹波电流受环境温度、电容器表面温度(及散热面积)、损耗角度(或 ESR )以及交流频率参数的限制。温度是电解电容器件寿命的决定性因素,因此由纹波产生的热损耗将成为电容寿命的一个关键参考因数
纹波电流还是指铝电解电容器的电流中的高次谐波成分,会带来电流或电压幅值的变化,可能导致击穿,由于是交流成分,会在电容上发生耗散,如果电流的纹波成分过大,超过了电容设计允许最大容许纹波电流,会导致电容报浆失效。
在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”,其实就是 ripple current,ripple voltage。 含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。 它们和ESR 之间的关系如下:
Urms = Irms × R
式中,Urms 表示纹波电压
Irms 表示纹波电流
R 表示电容的 ESR
由上可见,当纹波电流增大的时候,即使在 ESR 保持不变的情况下,涟波电压也会成倍提高。换言之,当纹波电压增大时,纹波电流也随之增大,这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后,由于电容内部的等效串连电阻(ESR)引起发热,从而影响到电容器的使用寿命。
发明内容
本发明的主要任务在于提供一种高纹波电流的CD11LH型节能灯铝电解电容器。
为了解决以上技术问题,本发明的一种高纹波电流的CD11LH型节能灯铝电解电容器,包括壳体和安置在壳体内的芯包,所述芯包由阳极箔、电解纸、阴极箔、电解纸重叠卷绕而成,所述阳极箔和阴极箔上分别连接正极导针和负极导针;其特征在于:所述铝电解电容器的芯包构造为:阳极箔、电解纸、阴极箔、电解纸六层重叠卷绕而成,所述阳极箔和阴极箔上分别连接正极导箔针和负极导针芯包浸渍电解液后封装在规定规格的壳体内.
进一步地,所述阴极箔的比容为100μf /cm2左右,所述阳极箔的比容控制在1.4-1.45μf/cm2。
进一步地,所述电解纸采用WCD265-40。
进一步地,所述电解液的使用量为:芯包:使用电解液后的芯包重量比为1:(1.4-1.5)。
进一步地,所述阳极箔的比容为1.4μf/cm2。
本发明的优点在于:
本发明采用上对芯包的内部结构进行重组调配,使得纹波电流比额定值多耐10%。原理为:采用新型电解纸的厚度变薄,根据测试,同规格、同样条件下ESR减少近20%。
2、本发明的重组由于电解纸的厚度变薄,使得芯包体积缩小,阳极铝箔的使用也减少,更减少了电解液的使用量,有效节约成本。
3、本发明由于体积的减小,在浸渍工艺中增加了处理容器的有效容量,提高生产效率。
4、本产品的封装采用市场同类产品的封装规格,突出的效果就是散热性能增加,有效提高产品使用寿命;采用同类产品小2-3个规格的封装,实现电容器微小化,利于目前轻量化、小体积化的现代电子产品的发展趋势。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
本发明的铝电解电容器包含两个电极,中间有绝缘层隔开。一个电极(阳极)由扩大了表面积的铝箔形成,铝氧化层在其表面形成绝缘层,负极是导电液体,称作电解液,另外一种是阴极箔(阴极),其有更大的表面积,以传递电流到电解液。
具体结构见图,铝电解电容器的芯子1是由阳极箔1a、电解纸1b、电解纸1c、阴极铝箔1d、电解纸1e、电解纸1f六层重叠卷绕而成,芯子1含浸电解液后,用铝壳2和胶塞3闭起来。阳极箔1a和阴极箔1b分别连接正极导针6和负极导针7。正极导针6和负极导针7穿过胶塞3。正极导针6长于负极导针7的长度。
本发明的主要创新点为对芯包的内部进行重新的搭配选择,具体如下:在阴箔的比容为100μf/cm2,阳箔的比容控制在1.4-1.45μf/cm2。该设计主要是将阳箔的比容调整高,但电容损耗增大。
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