[发明专利]双极型晶体管模型及相应的参数提取方法

权利要求书

1.一种双极型晶体管模型，用以提取模型寄生参数，其特征在于，包括：集电极、基极和发射极以及内集电极、内基极和内发射极，所述集电极和内集电极位于集电区，所述基极和内基极位于基区，所述发射极和内发射极位于发射区，所述集电极、基极和发射极以及内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，所述集电极和内集电极、所述基极和内基极、以及所述发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各所述金属线分别连接至一探针垫，所述探针垫用于接触探针。

2.如权利要求1所述的双极型晶体管模型，其特征在于，所述内集电极、内基极和内发射极上的金属线的面积均对应的小于所述集电极、基极和发射极上的金属线的面积。

3.如权利要求1所述的双极型晶体管模型，其特征在于，与所述内集电极、内基极和内发射极上的金属线连接的探针垫的面积均对应的小于与所述集电极、基极和发射极上的金属线连接的探针垫的面积。

4.如权利要求2或3所述的双极型晶体管模型，其特征在于，所述模型寄生参数通过探针接触各所述探针垫进行测试获得。

5.如权利要求2或3所述的双极型晶体管模型，其特征在于，所述模型寄生参数由所述集电极和内集电极与对应的探针之间的寄生参数差、所述基极和内基极与对应的探针之间的寄生参数差、以及所述发射极和内发射极与对应的探针之间存在的寄生参数差形成。

6.如权利要求2或3所述的双极型晶体管模型，其特征在于，所述模型寄生参数由金属线、探针垫和探针寄生产生。

7.一种双极型晶体管模型参数提取方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供如权利要求1所述的双极型晶体管模型；

用探针接触各探针垫，获得模型寄生参数；

通过所述模型寄生参数修正双极型晶体管SPICE模型参数；

通过参数被修正后的双极型晶体管SPICE模型进行计算机模拟。

8.如权利要求7所述的双极型晶体管模型参数提取方法，其特征在于，所述内集电极、内基极和内发射极上的金属线的面积均对应的小于所述集电极、基极和发射极上的金属线的面积。

9.如权利要求7所述的双极型晶体管模型参数提取方法，其特征在于，与所述内集电极、内基极和内发射极上的金属线连接的探针垫的面积均对应的小于与所述集电极、基极和发射极上的金属线连接的探针垫的面积。

10.如权利要求8或9所述的双极型晶体管模型参数提取方法，其特征在于，所述模型寄生参数由所述集电极和内集电极与对应的探针之间的寄生参数差、所述基极和内基极与对应的探针之间的寄生参数差、以及所述发射极和内发射极与对应的探针之间存在的寄生参数差形成。

11.如权利要求8或9所述的双极型晶体管模型参数提取方法，其特征在于，所述模型寄生参数由金属线、探针垫和探针寄生产生。

12.如权利要求7所述的双极型晶体管模型参数提取方法，其特征在于，所述双极型晶体管SPICE模型由去除所述双极型晶体管模型中的内集电极、内基极和内发射极上设有的金属孔以及相应的金属线和探针垫而形成。