[发明专利]XMR信号的倍频有效
申请号: | 201310156228.5 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103312269A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | J·齐默 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H03B19/14 | 分类号: | H03B19/14;G01R33/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢攀;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | xmr 信号 倍频 | ||
1.一种传感器系统,包括:
磁场源;
磁阻传感器,其配置为提供与磁场源相关的输出信号,该输出信号具有频率;以及
电压源,其耦合至传感器元件,以提供具有与传感器元件输出信号的频率相同的频率的已调供给电压。
2.根据权利要求1所述的传感器系统,其中,与未调制的供给电压相比,已调供给电压使输出信号的频率加倍。
3.根据权利要求1所述的传感器系统,其中,传感器包括传感器元件的第一半桥配置和传感器元件的第二半桥配置,所述第一半桥配置和第二半桥配置形成传感器元件的第一惠斯登电桥配置;以及布置在第一和第二半桥配置之间的传感器元件的第二惠斯登电桥配置。
4.根据权利要求3所述的传感器系统,其中,将传感器元件的第二惠斯登电桥配置的输出信号提供给传感器元件的第一惠斯登电桥配置的供给电压输入,以提供已调供给电压。
5.根据权利要求4所述的传感器系统,进一步包括放大器,其中通过所述放大器将第二惠斯登电桥配置的输出信号提供给传感器元件的第一惠斯登电桥配置的供给电压输入。
6.根据权利要求1所述的传感器系统,其中,传感器包括巨磁阻传感器元件(GMR)、隧道磁阻传感器元件(TMR)或各向异性磁阻传感器元件(AMR)中至少一个。
7.根据权利要求1所述的传感器系统,其中,传感器包括传感器元件的第一、第二和第三惠斯登电桥配置,其中第一电桥配置的输出信号相对于第二电桥配置的输出信号相移90度,其中第三电桥配置的输出信号具有与第一或第二电桥配置的输出信号之一基本相同的相位,以及其中将第三电桥配置的输出信号提供给第一和第二电桥配置的供给电压输入以提供已调供给电压。
8.根据权利要求7所述的传感器系统,进一步包括放大器,其中通过所述放大器将第三电桥配置的输出信号提供给第一和第二电桥配置的供给电压输入。
9.根据权利要求7所述的传感器系统,进一步包括开关,其配置为在已调供给电压和恒定供给电压之间切换第一和第二电桥配置的供给电压输入。
10.一种方法,包括:
提供具有对外部磁场的响应的传感器;以及
向传感器提供供给电压,所述供给电压具有与传感器的响应基本相同的频率。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,提供传感器包括提供第一传感器配置和第二传感器配置,以及其中提供供给电压包括通过第二传感器配置的输出来调制对第一传感器配置的供给电压。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括通过调制使传感器的响应的频率加倍。
13.根据权利要求11所述的方法,其中提供供给电压包括放大第二传感器配置的输出。
14.根据权利要求11所述的方法,其中提供第一传感器配置和第二传感器配置包括提供第一和第二惠斯登电桥传感器配置。
15.根据权利要求14所述的方法,其中提供第一和第二惠斯登电桥传感器配置包括在第一惠斯登电桥配置的第一和第二半桥之间布置第二惠斯登电桥配置。
16.根据权利要求14所述的方法,进一步包括提供第三惠斯登电桥传感器配置。
17.根据权利要求10所述的方法,其中提供传感器包括提供磁阻传感器。
18.根据权利要求14所述的方法,其中提供磁阻传感器包括提供巨磁阻传感器(GMR)、隧道磁阻传感器(TMR)或各向异性磁阻传感器(AMR)中至少一个。
19.一种传感器系统,包括:
磁阻传感器,包括第一传感器元件配置和第二传感器元件配置;以及
电压源,耦合至传感器以将由第二传感器元件配置的输出信号调制的供给电压提供给第一传感器元件配置。
20.根据权利要求19所述的传感器系统,进一步包括磁场源。
21.根据权利要求20所述的传感器系统,其中,当磁场源提供变化的磁场时,已调供给电压的频率与第二传感器元件的输出信号的频率基本相同。
22.根据权利要求19所述的传感器系统,进一步包括放大器电路,以放大第二传感器元件的输出信号。
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