[发明专利]可调式接近传感器无效

专利信息
申请号: 201310147239.7 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN103376049A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: B.L.谢克曼;N.A.韦勒;李瑢宰 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: G01B7/14 分类号: G01B7/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 肖日松;傅永霄
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 调式 接近 传感器
【权利要求书】:

1. 一种接近传感器,其包括:

包括第一表面的基底;

配置在所述第一表面上的天线;以及

盖,其包括:

由具有第一介电常数的第一介电材料制成的第一区段,所述盖的第一区段配置成接近所述天线,以及

由具有第二介电常数的第二介电材料制成的第二区段,所述盖的第二区段配置成接近所述天线,

       其中,所述第一介电常数不同于所述第二介电常数。

2. 根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一二维形状,并且所述盖的第二区段具有第二二维形状,其中,所述第一二维形状与所述第二二维形状相同。

3. 根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一二维形状,并且所述盖的第二区段具有第二二维形状,其中,所述第一二维形状不同于所述第二二维形状。

4. 根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一厚度,并且所述盖的第二区段具有第二厚度,其中,所述第一厚度与所述第二厚度相同。

5. 根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一厚度,并且所述盖的第二区段具有第二厚度,其中,所述第一厚度不同于所述第二厚度。

6. 根据权利要求2所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一厚度,并且所述盖的第二区段具有第二厚度,其中,所述第一厚度与所述第二厚度相同。

7. 根据权利要求3所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一厚度,并且所述盖的第二区段具有第二厚度,其中,所述第一厚度与所述第二厚度相同。

8. 根据权利要求2所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一厚度,并且所述盖的第二区段具有第二厚度,其中,所述第一厚度不同于所述第二厚度。

9. 根据权利要求3所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段具有第一厚度,并且所述盖的第二区段具有第二厚度,其中,所述第一厚度不同于所述第二厚度。

10. 根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述盖的第一区段配置成与所述基底的第一表面大致平行。

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