[发明专利]吸附平台的制造方法及吸附平台

说明书

技术领域

本发明有关于一种用以在玻璃、硅、陶瓷(LTCC基板等)、化合物半导体等脆性材料基板(以下将统称为基板)加工刻划槽(割断用的切槽)或沿着该刻划槽进行裂断时，吸附保持所述基板的吸附平台的制造方法及吸附平台。

背景技术

在刻划装置或裂断装置等的基板加工装置中所使用的吸附平台，已知有如图6所示，在金属制的台板10朝向基板载置面12开口有多个空气吸引孔11。各空气吸引孔11在台板下部与中空空间的歧管(manifold)11a相连，借由设置于外部的真空泵P且经由该歧管11a从空气吸引孔11进行吸引，从而吸附载置于基板载置面12的基板W。

此外，在金属制台板10设置有空气吸引孔11的平台中，具有为了使载置于基板载置面的基板的密接性变良好而改良的如图7所示的吸附平台。该吸附平台，沿台板10的基板载置面12的各端缘附近，以描画四边形的轨迹(闭合曲线的轨迹)的方式加工剖面为倒T字形的槽13，且在该剖面倒T字形槽13中，使在俯视时轮廓为四边形的非透气性的缓冲材料14，以其顶部略微露出的状态嵌入。而且，在基板加工时，将基板W的端缘抵接于立设在基板载置面12的定位用基准销15而进行定位，且将基板W载置于缓冲材料14的顶面。在该状态下，一旦从空气吸引孔11进行吸引，则基板W一边压缩缓冲材料14一边被吸引至台板10的基板载置面12。借此，即使在基板W略微存在扭曲或弯曲变形时，亦可使其遍及形成有空气吸引孔11的整个区域而均等地密接。

于在台板10设置有多个空气吸引孔11的吸附平台的情形，在将片状的薄基板载置于吸附平台并进行加工时，必需以适当的吸附力(吸引力)吸附基板。一旦吸附力过强，则在空气吸引孔11的部分，基板(被加工物)会凹陷。一旦产生如此的凹陷，则例如在使刀轮压接于基板表面并转动的加工中，因刀轮的上下移动导致加工品质劣化，此外，在利用激光光束的加工中，因光束焦点的位置偏移或照射功率密度的下降而导致加工品质劣化。此外，一旦在吸附时，基板出现因凹陷而导致的皱褶，则因皱褶而使膨胀后的部分的加工品质因与上述相同的理由而劣化。

因此，必需以适当的吸附力吸附基板，且尽可能防止基板面的凹凸的产生。适当的吸附力根据所加工的基板材质或厚度而有所变化，具体而言，例如，越是材质柔软且厚度较薄的基板越必须减弱吸附力。为了实现适当的吸附，必须使空气吸引孔小口径化并减弱各自的吸附力，且增加孔数来确保作为整体的吸附力。为了以不产生凹凸的方式吸附厚度为数十μm左右的片状基板，必须高密度加工多个孔径非常小的空气吸引孔，但该加工存在极限。

因此，利用纵横地具有无数个小孔的多孔质陶瓷板而形成平台的基板载置部，一直以来与上述金属制的吸附平台一起使用(参照专利文献1)。由于该多孔质陶瓷板的多孔质部分的孔径十分小，因此一个孔的吸附力较弱而不会产生局部性的基板的凹陷，但为了对多孔质陶瓷板与基板抵接的整个面进行吸附，作为吸附基板整体的力较充分，且作为用于固定较薄的基板的吸附平台较为有效。

然而，由于陶瓷板的材质较脆，尤其是多孔质的陶瓷材料的脆性较高，因此难以精密地加工如上述图7所示的剖面倒T字形的复杂的槽，或用以供基准销旋入的螺孔等。

专利文献1：日本特开2001-138095号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种使用多孔质陶瓷板作为吸附面的吸附平台，并且可进行用以在吸附面的一部分嵌入缓冲材料的剖面倒T字形槽等的复杂加工的吸附平台的制造方法，及借由该制造方法而获得的吸附平台。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明提供一种吸附平台的制造方法，该吸附平台是由多孔质陶瓷材料所形成且以上面作为基板载置面的上层板，接合于具有贯通上下的多个空气吸引孔的中层板的上面，且借由与所述空气吸引孔连通的真空排气装置进行减压，而借此用以吸附保持载置于所述基板载置面的基板；该吸附平台的制造方法包括如下步骤：在所述上层板的下面加工下槽成闭合曲线状；使槽宽较该下槽的槽宽狭窄的贯通槽从上层板的上面贯通至下槽并将剖面为倒T字形的槽加工成所述闭合曲线状，借此将所述上层板分断成成为吸附区域的中心构件与框构件；借由非透气性的涂布材料(例如，环氧树脂)被覆所述框构件的内侧面及中心构件的外侧面；以及在将所述上层板的中心构件以嵌入于框构件的状态载置于所述中层板的上面，并借由安装治具将中心构件定位于框构件的中心后，将上层板与中层板接合。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。