[发明专利]SnO₂纳米棒有序阵列纳米材料的合成及其应用无效

申请号：	201310135814.1	申请日：	2013-04-18
公开（公告）号：	CN103183376A	公开（公告）日：	2013-07-03
发明（设计）人：	赵鹤云;蒋秋萍;李跃华	申请（专利权）人：	云南大学
主分类号：	C01G19/02	分类号：	C01G19/02;G01N33/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	650091 云***	国省代码：	云南;53
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摘要：
搜索关键词：	sno sub 纳米有序阵列材料合成及其应用
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【权利要求书】：

1.一种无支撑自立SnO₂纳米棒有序阵列纳米材料，其特征在于，制备方法如下：

(1) 配制水热合成前驱体反应溶液

a. 用天平称量一定量的Na₂SnO₃·3H₂O，用去离子水将其配制成摩尔浓度为0.05~0.5 mol/L的水溶液；称量一定量的NaOH，用去离子水将其配制成摩尔浓度为0.1~1.0 mol/L的水溶液；量取一定体积的Na₂SnO₃·3H₂O和NaOH水液并将其混合均匀，混合水溶液Sn⁴⁺与(OH)^1-摩尔比为0.4:1 ~0.6:1；

b. 按1:1的体积比量取与a步骤中配制的混合水溶液体积相等的无水乙醇；将无水乙醇加入到a步骤中配制的混合水溶液中，搅拌40~60分钟，配制成水热合成前驱体反应溶液；

(2) 将水热合成前驱体反应溶液移入内衬为聚四氟乙烯的微型反应釜中；在160~220 ^oC温度下保温24~72小时，然后随炉冷却；

(3) 将反应后的溶液进行离心分离，得到反应沉积产物；

(4) 用去离子水和无水乙醇反复清洗反应沉积产物，除去反应残留物及反应副产物，将清洗后的样品分离、烘干，即制得无支撑自立SnO₂纳米棒有序阵列纳米材料。

2.如权利要求1所述无支撑自立SnO₂纳米棒有序阵列纳米材料的应用，其特征在于该材料作为气体敏感材料制作气体传感器的应用。

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