[发明专利]电荷泵电路和在电荷泵电路输出端处产生升压电压的方法无效

专利信息
申请号: 201310128229.9 申请日: 2013-04-01
公开(公告)号: CN103368382A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: T·戴格尔;J·L·斯图兹 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;徐川
地址: 215021 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电荷 电路 输出 产生 升压 电压 方法
【权利要求书】:

1.一种电荷泵电路,包含:

输入端;

输出端;

多个场效应晶体管(FET),所述多个FET中的每一个FET都具有相应的栅极端子;以及

至少两个快速电容器,其与多个FET中的至少一个FET电连通,

其中,所述相应的栅极端子中的每一个栅极端子被配置为接收相应的逻辑电平移位时钟信号电压,

其中,所述至少两个快速电容器被配置为响应于所述逻辑电平移位时钟信号电压交替地进行充电和放电,并且

其中,所述至少两个快速电容器被配置为在所述输出端处提供与所述输入端处的电压不同的电压。

2.如权利要求1所述的电荷泵电路,其中,所述多个FET包含:

第一对FET,其被布置为第一反相器;以及

第二对FET,其被布置为第二反相器,

其中,所述第一对FET中的每一个FET具有相应的漏极端子,其中,所述第一对FET的所述相应的漏极端子中的每一个漏极端子彼此之间是电连通的,并且与所述快速电容器中的其中一个快速电容器的端子之间是电连通的,以及

其中,所述第二对FET中的每一个FET具有相应的漏极端子,其中,所述第二对FET的所述相应的漏极端子中的每一个漏极端子彼此之间是电连通的,并且与所述快速电容器中另一个快速电容器的端子之间是电连通的。

3.如权利要求1所述的电荷泵电路,其中,所述电荷泵电路包括正电荷泵电路,所述正电荷泵电路被配置为接收输入电压,并且提供大于所述输入电压的输出电压。

4.如权利要求1所述的电荷泵电路,其中,所述电荷泵电路包括负电荷泵电路,所述负电荷泵电路被配置为接收输入电压,并且提供小于所述输入电压的输出电压。

5.如权利要求1所述的电荷泵电路,包括:

振荡器电路,其被配置为产生第一时钟信号电压和第二时钟信号电压;以及

至少两个逻辑电平移位电路,其被配置为:

增加所述第一时钟信号电压和所述第二时钟信号电压中每一个时钟信号电压的电压;以及

产生所述相应的逻辑电平移位时钟信号电压,所述相应的逻辑电平移位时钟信号电压施加到所述相应的栅极端子中每一个栅极端子上。

6.如权利要求1所述的电荷泵电路,

其中,所述相应的逻辑电平移位时钟信号电压包含第一逻辑电平移位时钟信号电压和第二逻辑电平移位时钟信号电压,

其中,所述第一逻辑电平移位时钟信号电压具有第一高压电平和第一低压电平,

其中,所述第二逻辑电平移位时钟信号电压具有第二高压电平和第二低压电平,以及

其中,所述第二高压电平大于所述第一高压电平,且所述第二低压电平大于所述第一低压电平。

7.如权利要求1所述的电荷泵电路,包括:

所述电荷泵电路包括在集成电路中。

8.一种用于在电荷泵电路输出端处产生升压电压的方法,所述方法包括:

产生多个逻辑电平移位时钟信号电压;

将所述多个逻辑电平移位时钟信号电压分别施加到多个场效应晶体管(FET)的多个栅极端子上,以及

响应于不同的时钟信号电压,对与所述多个FET电连通的至少两个快速电容器交替地进行充电和放电,

其中,所述至少两个快速电容器被配置为在所述电荷泵电路的输出端处提供升压电压。

9.如权利要求6所述的方法,其中,所述多个FET包括:

第一对FET,其被布置为第一反相器;以及

第二对FET,其被布置为第二反相器,

其中,所述第一对FET中的每一个FET具有相应的漏极端子,其中,所述第一对FET的所述相应的漏极端子中的每一个漏极端子彼此之间是电连通的,并且与所述快速电容器中的其中一个快速电容器的端子之间是电连通的,以及

其中,所述第二对FET中的每一个FET具有相应的漏极端子,其中,所述第二对FET的所述相应的漏极端子中的每一个漏极端子彼此之间是电连通的,并且与所述快速电容器中另一个快速电容器的端子之间是电连通的。

10.如权利要求6所述的方法,其中,产生多个不同的时钟信号电压包括:

产生第一时钟信号电压和第二时钟信号电压;以及

增加所述第一时钟信号电压和所述第二时钟信号电压中每一个时钟信号电压的电压,来产生所述逻辑电平移位时钟信号电压,所述逻辑电平移位时钟信号电压被分别施加到所述多个FET的所述多个栅极端子上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310128229.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top