[发明专利]纳米平板印刷方法和装置

权利要求书

1.一种纳米平板印刷方法，包括： 

提供(S10)： 

模具(100)，在所述模具的一侧(101)上包括具有纳米级尺度的结构(130)，所述结构形成形貌图案(140)；以及 

衬底(220)上的、与所述模具的所述一侧相对的可热分解聚合物膜(210)， 

其中所述结构被加热至所述聚合物膜的分解温度(T_d)以上； 

使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)以热分解(S30)其与所述结构对应的部分；并且 

从所述聚合物膜去除(S50)所述结构。 

2.根据权利要求1所述的纳米平板印刷方法，其中，在使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)之前，将所述衬底进一步维持在所述聚合物膜的玻璃转变温度(T_g)以下的温度，并且其中优选地，使所述结构与所述聚合物膜接触包括使所述结构朝着所述衬底(220)迫近(S40)以实现与之热接触并且冷却所述结构。 

3.根据权利要求1或者2所述的纳米平板印刷方法，其中执行使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)以解链和/或解吸(S30)其分子，并且其中优选地，提供的所述聚合物膜使得可以执行使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)以根据吸热分解来热分解其部分。 

4.根据权利要求3所述的纳米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜包括经由分子间非实质上共价键交联的分子网络，并且其中执行使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)以解吸(S30)其分子。 

5.根据权利要求4所述的纳米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜中的分子的平均分子质量在100Da与2000Da之间，优选地在从150Da至1000Da的范围中，并且其中更优选地经由氢键交 联所述分子。 

6.根据权利要求3所述的纳米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜包括具有能够在热刺激时解链的聚合物链的聚合物材料，并且其中执行使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)以解链(S30)所述聚合物材料的聚合物链。 

7.根据权利要求6所述的纳米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜包括聚邻苯，并且其中优选地，所述聚合物膜具有125℃±20℃的玻璃转变温度和150℃±30℃的热分解温度。 

8.根据权利要求1至7中的任一权利要求所述的纳米平板印刷方法，其中所述模具包括主体(110)和材料层(120)，所述主体(110)优选地包括晶体硅，所述材料层(120)优选地包括氧化硅，所述材料层(120)在所述主体与所述结构之间并且具有比所述主体的导热率明显更低的、优选地低至少十倍并且更优选地低至少五十倍的导热率。 

9.根据权利要求8所述的纳米平板印刷方法，所述材料层(120)和所述主体(110)的相应线性热膨胀系数相差少于5倍。 

10.根据权利要求8或者9所述的纳米平板印刷方法，其中所述材料层(120)具有在1与30微米之间的、优选为6±4微米的厚度。 

11.根据权利要求1至11中的任一权利要求所述的纳米平板印刷方法，其中提供的所述模具的所述结构(130)中的一个或者多个结构在与所述聚合物膜垂直的方向上具有如下高度，该高度比所述聚合物膜的平均厚度更大、优选地比所述聚合物膜的平均厚度的三倍更大。 

12.根据权利要求1至12中的任一权利要求所述的纳米平板印刷方法，其中将所述衬底的温度维持在所述聚合物膜的玻璃转变温度(T_g)以下，并且其中在使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)之前，在所述聚合物膜的分解产物易挥发的温度加热所述结构，并且其中使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)包括使所述结构向所 述衬底上迫近(S40)以实现与之热接触并且冷却所述衬底。 

13.根据权利要求12所述的纳米平板印刷方法，其中在所述衬底(220)与所述加热的结构(130)之间的温度差在使所述结构与所述聚合物膜接触(S20)之前至少为100℃，优选地至少为200℃。