[发明专利]Nor flash掉电保护方法及装置在审

专利信息
申请号: 201310099627.2 申请日: 2013-03-26
公开(公告)号: CN103176920A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 李华生 申请(专利权)人: 杭州华三通信技术有限公司
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 谢安昆;宋志强
地址: 310053 浙江省杭州市高新技术产业*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: nor flash 掉电 保护 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种Nor flash掉电保护方法,其特征在于,包括以下步骤:

在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区;

进行写操作时,将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上,记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到非易失性随机访问存储器Nvram;

设备重启时,如果正在写入标记已置位,则禁止对flash进行写操作,从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引,拷贝所述备份block的数据到所述目标block。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述从写时备份区选择备份block的方法为:

写时备份区的block数量记为N,N为正整数,其中按顺序第一个block的全局位置索引记为M,上一次使用的备份block的全局位置索引记为K,判断K+1是否小于M+N,如果是,从写时备份区选择全局位置索引为K+1的block作为备份block,否则,从写时备份区选择全局位置索引为M的block作为备份block。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述写操作是在已存储有数据的所述目标block上改写数据时,

所述将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上,包括:将所述目标block上已存储的数据写入随机存储器Ram,在所述Ram中对所述数据进行改写,将所述Ram中改写后的数据写到所述备份block上;

所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后,进一步包括:擦除所述目标block,将所述备份block上的数据写到所述目标block上。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述写操作是在内容为空的所述目标block上写入数据时,

所述将待写入数据写到从写时备份区选择的备份block上,包括:将待写入数据写入随机存储器Ram,将所述Ram中的数据写到所述备份block上;

所述记录正在写入标记、以及所述备份block和待写入的目标block的全局位置索引到Nvram之后,进一步包括:将所述备份block上的数据写到所述目标block上。

5.根据权利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述将所述备份block上的数据写到所述目标block上之后进一步包括:清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引,擦除所述备份block。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述设备重启时,如果正在写入标记没有置位,则擦除写时备份区的所有数据。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述从Nvram中取出所述备份block和目标block的全局位置索引之后和拷贝所述备份block的数据到所述目标block之前,进一步包括:如果所述目标block没有被擦除,则擦除所述目标block;如果所述目标block已被擦除,则直接拷贝所述备份block的数据到所述目标block。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述拷贝所述备份block的数据到所述目标block之后进一步包括:

清除Nvram中的正在写入标记、以及所述目标block和备份block的全局位置索引,擦除写时备份区的全部数据。

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