[发明专利]一种高动态范围低噪声的CMOS 传感器芯片无效
| 申请号： | 201310096801.8 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103139491A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林昕;林丰成;赵晓锦;潘晓芳;张勖凯 | 申请（专利权）人： | 天利半导体(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/357 | 分类号： | H04N5/357;H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 动态 范围 噪声 cmos 传感器 芯片 | ||
1.一种高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其包括：电源单元及其与该电源单元连通的光强检测单元、采样单元、积分单元和反馈检出单元，以及位切换控制单元，其特征在于：所述光强检测单元包括光强检测模组、复位模组和计数存储位模组，所述光强检测模组在达到积分触发时间后，藉由该复位模组对该光强检测模组的电压进行复位，并通过该计数存储位模组来记录并存储该时间内积分触发的次数。
2.如权利要求1所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述光强检测模组包括感光二极管。
3.如权利要求2所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述光强检测模组至少集成了四个感光二极管。
4.如权利要求3所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述感光二极管的光电信号通过所述采样单元转化为数字信号，再通过反馈检出单元来异步，并对所述感光二极管的电压进行复位。
5.如权利要求1所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述计数存储位模组包括具有计数功能的存储器。
6.如权利要求5所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述计数存储位模组具有三个控制管和一个反相器。
7.如权利要求1所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述采样单元包括采样比较模组和基准参考模组。
8.如权利要求7所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述采样比较模组包括数字比较器，该数字比较器与该基准参考模组连接。
9.如权利要求8所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述数字比较器分别连接所述积分单元和所述光强检测单元。
10.如权利要求1所述的高动态范围低噪声的CMOS传感器芯片，其特征在于：所述位切换控制单元分别与所述计数存储位模组和所述反馈检出单元连接。
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