[发明专利]场强自适应电路、场强自适应方法及智能卡有效

专利信息
申请号: 201310096564.5 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN104063674B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 石道林;李鸿雁 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: G06K7/00 分类号: G06K7/00;G06K19/07
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 场强 自适应 电路 方法 智能卡
【说明书】:

技术领域

发明属于非接触IC卡电磁场强度检测领域,尤其涉及场强自适应电路、场强自适应方法及智能卡。

背景技术

非接触式IC卡又称射频识别卡,由IC芯片、感应天线等组成,一般封装在一个标准的PVC卡片内;目前,非接触式IC卡或射频识别标签的应用越来越广泛,其在地铁、公交、身份认证、物流、门票等行业中普遍使用,正逐步取代传统的纸质票证;而且,IC卡片的集合性强,一张卡片即可满足各种不同场合的交易。

然而,由于各种读卡器的应用环境不同,天线设计以及使用材料等差异,导致的读卡器的场强并不相同;而目前一般的非接触式IC卡片,并不具备可以根据读卡器电磁场强度的不同而采用不同工作模式进行交易的能力,为了同时兼容场强较强与场强较弱的读卡器,非接触式IC卡的设计一般采用折中方式设计,配置成较慢的工作速度;当其与电磁场强度较强的读卡器进行交易时,无法充分利用电磁场强度信号;当其与电磁场强度更弱的读卡器进行交易时,由于无法降低工作模式适应小场强,可能导致通讯失败。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种电源及自动配置模块、场强自适应电路及场强自适应方法,以及一种使用该场强自适应电路的智能卡;旨在解决现有的非接触式IC卡不能根据读卡器电磁场强度的不同而配置与电磁场强度相匹配的恒定电源的电流档位以及进一步采用不同工作模式进行数据交互完成交易的问题。

为解决上述问题,本发明实施例是这样实现的,一种电源及自动配置模块,其特征在于,包括电压检测单元、自适应控制单元以及恒流型电源单元,其中:所述电压检测单元,接收外部电压信号并进行检测,将检测结果发送到所述自适应控制单元;所述自适应控制单元,根据所接收的电压检测结果,产生调节控制信号输出到所述恒流型电源单元;所述恒流型电源单元,接收外部电压信号,并根据所接收的调节控制信号配置恒定电源的输出电流档位;所述电流档位与所接收的外部电压信号相匹配并决定交易速率的快慢。

本发明实施例,还提供了一种场强自适应电路,包括天线接收器、整流限幅模块以及上述的电源及自动配置模块,其中:所述天线接收器,用于耦合接收外部的电磁场信号;所述整流限幅模块,连接所述天线接收器,将所接收的电磁信号进行整流处理;所述电源及自动配置模块,连接所述整流限幅模块,根据整流后的电压信号,配置与所述电压信号相匹配,并决定交易速率快慢的恒定电源的电流档位。

本发明实施例,还提供了一种智能卡,所述智能卡用于通过无线方式与读卡器进行通讯,并接收读卡器发出的通讯信号进行交易;所述的智能卡包括上述的场强自适应电路。

本发明实施例,还提供了上述场强自适应电路的自适应方法,包括以下步骤:耦合接收电磁场信号,将所接收的电磁场信号进行整流处理;根据整流处理后的电压信号大小配置恒定电源的电流档位;其中,当整流处理后的电压信号大于第一检测档位电压(VDDH1)时,按第一步长值(△I1)增加恒定电流档位;当整流处理后的电压信号小于第一检测档位电压(VDDH1)但大于第二检测档位电压(VDDH2)时,按第二步长值(△I2)增加恒定电流档位;当整流处理后的电压信号小于第三检测档位电压(VDDH3)时,按第三步长值(△I3)减小恒定电流档位;当整流处理后的电压信号大小为小于第二检测档位电压(VDDH2)但大于第三检测档位电压(VDDH3)时,恒定电流值配置完成,固定当前的电流档位;其中,第一步长值(△I1)、第二步长值(△I2)、第三步长值(△I3)为设定步长值,且第三步长值>第一步长值>第二步长值>0;第一检测档位电压(VDDH1)、第二检测档位电压(VDDH2)、第三检测档位电压(VDDH3)为设定的检测电压;且第一检测档位电压>第二检测档位电压>第三检测档位电压;根据配置的恒定电源的电流档位向负载电路输出恒定电流。

在本发明实施例中,通过接收整流限幅模块输出整流处理的电压信号,并根据整流后输出的电压信号的强度大小配置得出与不同读卡器电磁场强度相匹配的恒定电源的电流档位;使得非接触式IC卡能够根据当前的供电能力,采用不同的工作模式进行数据交互,完成交易,适应不同电磁场强度的读卡器。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的电源及自动配置模块结构示意图;

图2是图1中电压检测单元结构示意图;

图3是图1中自适应控制单元结构示意图;

图4是图1中恒流型电源单元结构示意图;

图5是本发明实施例二提供的场强自适应电路结构图;

图6是本发明实施例3提供的场强自适应方法流程图;

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