[发明专利]超导薄膜谐振器无效
申请号: | 201310093145.6 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN103199328A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 雷振亚;杨锐;王青;李磊;谢拥军;谢亮亮;王杨婧 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01P7/00 | 分类号: | H01P7/00 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 薄膜 谐振器 | ||
1.一种超导薄膜谐振器,由镀在单晶衬底上(1)的非闭合的超导薄膜外环(2)和外环内的超导薄膜磁通聚焦器(3)构成,磁通聚焦器中间设有磁通聚焦孔(4),其特征在于:磁通聚焦孔(4)与磁通聚焦器超导薄膜(3)之间设有单互补开环(5),用于增强磁通聚焦器的聚磁效果。
2.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于非闭合的超导薄膜外环(2),设有四条边,该四条边构成三个阶梯阻抗,每个阶梯阻抗的宽度为0.15mm~0.85mm,且三个阶梯阻抗不等。
3.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于非闭合的超导薄膜外环(2)的开口宽度小于1mm,通过调节该外环的四条边宽度和开口宽度实现对谐振频率的调节。
4.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于超导薄膜磁通聚焦器(3)与非闭合的超导薄膜外环(2)贴近,且两者之间留有缝隙(6)。
5.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于单互补开环(5)的谐振频率f1远大于谐振器的谐振频率f0,即f1≥4f0。
6.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于单互补开环(5)的内外环的长度之和,通过如下公式获得:
其中f1为单互补开环的谐振频率,c为光速,L1,L2分别为单互补开环的内边缘和外边缘长度,εe为介质的有效介电常数,取值为εr/2,εr为介质的相对介电常数。
7.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于单互补开环(5)的内径r1、外径r2及开口宽度d,通过内边缘和外边缘长度之和(L1+L2)确定,即单互补开环的内径r1=0.09(L1+L2),外径r2=0.1(L1+L2),开口宽度d=0.74(L1+L2)。
8.如权利要求1所述一种超导薄膜谐振器,其特征在于单晶衬底(1)采用铝酸镧LAO,尺寸为10×10×1mm3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310093145.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:克劳斯法制硫尾气净化的旋流强化方法与装置
- 下一篇:新型LED灯