[发明专利]纯铝靶的制造方法无效
| 申请号： | 201310083147.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN104046931A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 洪胤庭;邱军浩;黄宏胜 | 申请（专利权）人： | 中国钢铁股份有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/04 | 分类号： | C22F1/04;C21D8/02;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;权陆军 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯铝靶 制造 方法 | ||
1.一种纯铝靶的制造方法，包括：
进行第一降温步骤，包括将铝锭放入液态氮中，使该铝锭的温度为0℃至-70℃，其中该铝锭的纯度介于99.99%至99.999%；
进行至少一个第一压延步骤，使该铝锭形成具有第一厚度的第一铝板，其中该第一厚度为50mm至150mm，且该第一铝板的温度为0℃至60℃；
进行第二降温步骤，包括将该第一铝板放入该液态氮中，使该第一铝板的温度为0℃至-70℃；
进行至少一个第二压延步骤，使该第一铝板形成具有第二厚度的第二铝板，其中该第二厚度为20mm至50mm，且该第二铝板的温度为40℃至70℃；
进行第三降温步骤，使该第二铝板的温度为20℃至30℃；
进行热处理步骤，包括于大气或保护性气体中，在100℃至350℃的温度下，处理该第二铝板，以形成第一铝靶；以及
进行第四降温步骤，用以降温该第一铝靶，以形成该纯铝靶，其中该纯铝靶的一次再结晶的晶粒尺寸为30微米至50微米，且该纯铝靶具有{100}<001>立方集合组织。
2.如权利要求1所述的纯铝靶的制造方法，其中该第三降温步骤利用液态氮或水进行。
3.如权利要求2所述的纯铝靶的制造方法，其中该水的温度为5℃至35℃。
4.如权利要求1所述的纯铝靶的制造方法，其中该热处理步骤为处理该第二铝板0.5小时至3小时。
5.如权利要求1所述的纯铝靶的制造方法，其中该第四降温步骤利用气体、水或液态氮进行。
6.如权利要求5所述的纯铝靶的制造方法，其中该气体为氮气、氩气或大气。
7.如权利要求5所述的纯铝靶的制造方法，其中该水的温度为5℃至35℃。
8.一种纯铝靶，其利用如权利要求1至权利要求7中任一项所述的方法制得。
9.一种溅镀方法，其利用如权利要求8所述的纯铝靶进行溅镀，其中该纯铝靶的溅镀速率为33.8埃/秒至34.5埃/秒。
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