[发明专利]一种测试多个LED的电路有效
申请号: | 201310082792.7 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN104049222B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄世侠 | 申请(专利权)人: | 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/44 | 分类号: | G01R31/44;G01R31/26 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 led 电路 | ||
技术领域
本发明属于测试电路领域,尤其涉及一种测试多个LED的电路。
背景技术
灯具照明在现代社会里面随处可见,在各行各业使用的灯具都有不同的用途,LED作为新型光源,它有着节能、环保、高效的特点,技术已经成熟并应用于各个领域。
在LED灯具设计和制造的时候,都要对LED灯具进行测试,以检验产品的质量和性能,对LED灯具进行老化测试,但是在进行老化测试的时候会造成人力、物力极大的浪费。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种测试多个LED的电路,旨在解决现在进行老化测试的时候会造成人力、物力极大的浪费的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种测试多个LED的电路,所述测试多个LED的电路包括多个依次串接在电源和地的测试子单元,所述测试子单元包括:
被测试LED、限流电阻R1、光敏二极管D1、第一开关管和第二开关管;
所述被测试LED的阳极为测试子单元的输入端,所述被测试LED的阴极为测试子单元的输出端,所述第一开关管的高电位端接所述被测试LED的阳极,所述第一开关管的低电位端接所述被测试LED的阴极,所述限流电阻R1连接在所述被测试LED的阳极和第一开关管的控制端之间,所述第一开关管的控制端接第二开关管的高电位端,所述第二开关管的低电位端接地,所述光敏二极管D1的阳极接所述被测试LED的阳极,所述光敏二极管D1的阴极接所述第二开关管的控制端。
在本发明实施例中,测试多个LED的电路包括多个依次串接在电源和地的测试子单元,当其中某个测试子单元中的被测试LED达到寿命极限熄灭时,与被测试LED并联的第一开关管导通,继续形成回路,继续进行老化测试,而不影响其他被测试LED的测试,此电路在恒流源条件的允许下,可以测试无穷多个LED。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的测试多个LED的电路的电路结构图;
图2是本发明第二实施例提供的测试多个LED的电路的电路结构图;
图3是本发明第三实施例提供的测试多个LED的电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1示出了本发明第一实施例提供的测试多个LED的电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
一种测试多个LED的电路,所述测试多个LED的电路包括多个依次串接在电源和地的测试子单元100,所述测试子单元100包括:
被测试LED、限流电阻R1、光敏二极管D1、第一开关管101和第二开关管102;
所述被测试LED的阳极为测试子单元100的输入端,所述被测试LED的阴极为测试子单元100的输出端,所述第一开关管101的高电位端接所述被测试LED的阳极,所述第一开关管101的低电位端接所述被测试LED的阴极,所述限流电阻R1连接在所述被测试LED的阳极和第一开关管101的控制端之间,所述第一开关管101的控制端接第二开关管102的高电位端,所述第二开关管102的低电位端接地,所述光敏二极管D1的阳极接所述被测试LED的阳极,所述光敏二极管D1的阴极接所述第二开关管102的控制端。
作为本发明一实施例,所述第一开关管101采用NPN型三极管Q1,所述NPN型三极管Q1的基极为第一开关管101的控制端,所述NPN型三极管Q1的集电极为第一开关管101的高电位端,所述NPN型三极管Q1的发射极为第一开关管101的低电位端。
作为本发明一实施例,所述第二开关管102采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管102的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管102的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管102的低电位端。
图2示出了本发明第二实施例提供的测试多个LED的电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
作为本发明一实施例,所述第一开关管101采用N型MOS管Q3,所述N型MOS管Q3的栅极为第一开关管101的控制端,所述N型MOS管Q3的漏极为第一开关管101的高电位端,所述N型MOS管Q3的源极为第一开关管101的低电位端。
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