[发明专利]外部补偿感应电路及其感应方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310082006.3 申请日: 2013-03-14
公开(公告)号: CN103137072A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 吴仲远;宋丹娜 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 外部 补偿 感应 电路 及其 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种外部补偿感应电路,其特征在于,所述外部补偿感应电路包括全差分运算放大器、第一电容、第二电容和用于放大感应电流的输出电路;

所述全差分运算放大器的负输入端与显示屏连接,正输入端连接基准电压,负输出端与所述输出电路的第一控制端连接,正输出端与所述输出电路的第二控制端连接;

所述第一电容的两端分别与所述全差分运算放大器的负输入端和所述输出电路的输入端连接;

所述第二电容的一端与所述输出电路的输出端连接,另一端接地。

2.如权利要求1所述的外部补偿感应电路,其特征在于,所述全差分运算放大器的负输入端与显示屏之间设置有第一开关、所述第一电容的两端之间设置有第二开关、第二电容与所述输出电路的输出端之间设置有第三开关。

3.如权利要求2所述的外部补偿感应电路,其特征在于,所述输出电路包括第一输出电路和第二输出电路,所述第二输出电路输出电流为所述第一输出电路输出电流的M倍,其中M大于1并小于100。

4.如权利要求3所述的外部补偿感应电路,其特征在于,所述第一输出电路包括第一N型MOS管和第一P型MOS管,所述第一N型MOS管的栅极为所述输出电路的第一控制端,所述第一P型MOS管的栅极为所述输出电路的第二控制端,所述第一N型MOS管的源极与所述第一P型MOS管的漏极连接为所述输出电路的输入端,所述第一N型MOS管的漏极接地,所述第一P型MOS管的源极接电源;

所述第二输出电路包括第二N型MOS管和第二P型MOS管,所述第二N型MOS管的源极与所述第二P型MOS管的漏极连接为所述输出电路的输出端,所述第二N型MOS管的漏极接地,所述第二P型MOS管的源极接电源。

5.如权利要求4所述的外部补偿感应电路,其特征在于,所述第二输出电路中第二N型MOS管的宽长比为所述第一输出电路中第一N型MOS管的宽长比的M倍,所述第二输出电路中第二P型MOS管的宽长比为所述第一输出电路中第一P型MOS管的宽长比的M倍,其中M大于1并小于100。

6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-5所述的外部补偿感应电路。

7.一种权利要求1-5任意一项所述的外部补偿感应电路的感应方法,其特征在于,该方法包括步骤:

S1全差分运算放大器被偏置在单位增益状态,第一电容放电;

S2显示屏的电流对第一电容充电或放电,输出电路将充放电电流放大M倍,其中M大于1并小于100;

S3第二电容内存储电压。

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