[发明专利]过电流保护电路及供电装置

说明书

关联申请的引用说明

本申请主张于2012年3月29日申请的在先的日本专利申请第2012-77762号的优先权，在此引用并包含了该在先申请的所有内容。

技术领域

在此说明的多个实施方式整体上涉及过电流保护电路及供电装置。

背景技术

已知保护电路元件免受过电流破坏的过电流保护电路。作为这种过电流保护电路及使用了过电流保护电路的供电装置，期待一种保护动作性能优良的装置。

发明内容

本发明的实施方式提供一种过电流保护电路及供电装置，该过电流保护电路及供电装置能够减小保护动作对负载调整率即输出电压的变动相对于输出电流的变动的比例的影响。

根据实施方式的过电流保护电路，提供一种过电流保护电路，其对连接在电源端子和输出端子之间的输出晶体管进行控制。该过电流保护电路具有过电流限制电路、电流电压控制电路及第一控制电路。

上述过电流限制电路在从上述输出端子输出的输出电流小于预先设定的过电流限制电流值时，通过控制上述输出晶体管的栅极电压，使上述输出晶体管在线性区域动作，在上述输出电流达到上述过电流限制电流值时，通过控制上述输出晶体管的栅极电压，控制上述输出晶体管，以将上述输出电流保持为上述过电流限制电流值。上述电流电压控制电路通过控制上述输出晶体管的栅极电压，控制上述输出晶体管，以使上述输出端子的输出电压和上述输出电流成正比。上述第一控制电路在上述输出电压为预先设定的阈值电压以下时，使得执行上述电流电压控制电路对上述输出晶体管的控制，以使上述输出电压和上述输出电流成正比，在上述输出电压超过上述阈值电压时，停止上述电流电压控制电路对上述输出晶体管的控制。

根据上述的结构，能够减小保护动作对负载调整率的影响。

附图说明

图1是示出第一实施方式的供电装置的结构的一例的框图。

图2是示出第一具体例的电路图，该第一具体例的电路结构包括过电流保护电路、驱动电路及输出晶体管，该过电流保护电路具有图1所示的过电流限制电路、电流电压控制电路及控制电路。

图3是示出图1所示的供电装置的输出电压和输出电流的关系的一例的特性图。

图4是示出第二具体例的电路图，该第二具体例的电路结构包括图1所示的过电流保护电路、驱动电路及输出晶体管。

图5是示出第三具体例的电路图，该第三具体例的电路结构包括图1所示的过电流保护电路、驱动电路及输出晶体管。

图6是示出第四具体例的电路图，该第四具体例的电路结构包括图1所示的过电流保护电路、驱动电路及输出晶体管。

图7是示出第五具体例的电路图，该第五具体例的电路结构包括图1所示的过电流保护电路、驱动电路及输出晶体管。

具体实施方式

下面，参照附图，对实施方式进行说明。在附图中，相同标记表示相同或类似部分。

在下面的实施方式中，对第一导电型的晶体管为p沟道绝缘栅场效应晶体管（下面，称作“p沟道MOS晶体管”）、第二导电型的晶体管为n沟道绝缘栅场效应晶体管（下面，称作“n沟道MOS晶体管”）的情况进行说明。

图1是示出实施方式的供电装置的结构的一例的框图。

如图1所示，供电装置1000具备：第一导电型的输出晶体管（p沟道MOS晶体管）20、作为第一控制电路的控制电路310、作为第二控制电路的控制电路100、驱动电路200、电流电压控制电路300以及过电流限制电路400。

电源10连接在电源端子Tin和接地之间，输出电源电压VDD。

负载30连接在输出端子Tout和接地之间，具有阻抗ZL。输出晶体管20连接在电源端子Tin和输出端子Tout之间。

电流电压控制电路300、控制电路310和过电流限制电路400构成过电流保护电路1000A。该过电流保护电路1000A对连接在电源端子Tin和输出端子Tout之间的输出晶体管20进行控制。

控制电路100根据经由控制端子Tc从外部输入的控制信号SCONT，输出启用信号（enable signal）EN。

驱动电路200根据启用信号EN，向输出晶体管20的栅极提供驱动电压。

过电流限制电路400在从输出端子Tout输出的输出电流IOUT小于预先设定的过电流限制电流值时，控制输出晶体管20的栅极电压，使输出晶体管20在线性区域动作。

另一方面，过电流限制电路400在输出电流IOUT达到过电流限制电流值时，控制输出晶体管20的栅极电压，控制输出晶体管20以使输出电流IOUT保持在过电流限制电流值。