[发明专利]使用电磁流量计的清洗品质管理装置及清洗品质管理方法

说明书

本申请以日本专利申请2012-281714(申请日为2012年12月25日)为基础，要求享受该申请的优先权。本申请参照该申请，包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及使用电磁流量计的清洗品质管理装置与清洗品质管理方法。

背景技术

电磁流量计为测量具有导电性的流体的流量的装置。电磁流量计包括普通型和称为电容式的类型，在普通型中，检测流速的电极设置于使流体流过的测量管的内壁部，用于在接触流体的状态，电导率大于等于3μS/cm的流体的测量，在该电容式的类型中，电极设置于测量管间壁外部上，在不接触流体的状态，即使在为电导率大于等于0.01μS/cm的纯水的电导率的情况下，仍可测量，具有高输入阻抗。

在这样的电磁流量计中，由于在使流体流过的测量管的内壁上没有操纵部，故使电导率上升(杂质含量增加)的原因少，另外，由于没有操纵部件，故用于半导体制造步骤的各处理步骤中的清洗装、药品浓度调整装置等各种清洗时的流量测量。

比如，在半导体晶片的制造步骤中，使用溢流方式的纯水供给装置，使用多个清洗槽，通过纯水而对晶片进行清洗。为了控制对该清洗槽的纯水供给量，使用流量计(比如，参照专利文献1)。

另外，在测量残留氯、其它药品的残留浓度的残留氯测量装置中，进行纯水的浓度调和，该纯水的流量控制使用流量计(比如，参照专利文献2)。

另外，同样在半导体晶片表面的抛光装置中，研磨剂的供给、供给清洗的纯水的控制使用流量计(比如，参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP公开平5-144787号文献

专利文献2：JP公开平6-194337号文献

专利文献3：JP公开平2000-202765号文献

发明的概述

发明要解决的课题

在半导体晶片制造步骤的清洗中，管理半导体的清洗品质，并且按照使化学品最小的方式削减清洗所使用的纯水的量这一点对于纯水制造成本和缩短半导体制造的时间来说，是重要的。

但是，在使用专利文献1所示的那样的溢流方式的多个清洗槽，通过纯水而对晶片进行清洗的方法中，由于晶片处理个数及所处理的清洗品质的程度在各处理步骤中条件不同，故难以自动地判断清洗品质是否良好。

由此，清洗步骤中的品质采用了使用一定量以上的大量的纯水的方法，或每次测量清洗后的排水的电导率，在排水为纯水之前，继续清洗的管理方法，但是，具有耗费大量的纯水的问题，清洗品质是否良好的判断花费时间的问题。

另外，在专利文献2所示的那样的残留浓度控制的情况下，由于在混合品、清洗后的排水的药品浓度在一定程度以下之前，供给纯水，继续进行稀释处理，故仍具有以良好的精度，自动地判断混合液、清洗排水的品质的课题。

此外，在专利文献3中公开的晶片的抛光步骤的清洗中，由于每次测量清洗后的排水的电导率，连续清洗，直至达到管理基准以下的值的电导率，故具有花费时间的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，本发明的目的在于提供使用了电磁流量计的清洗品质管理装置和清洗品质的管理方法，其中，利用即使为低电导率的流体，仍可测量的电磁流量计的特性，不每次测量各种清洗步骤中的清洗排水的电导率，而可将电磁流量计的检测信号与清洗排水的电导率预先建立对应，连续地测量清洗排水的电导率，自动地判断清洗是否完成的清洗品质是否良好。

用于解决课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的使用了电磁流量计的清洗品质管理装置，其特征在于，包括：电磁流量计，使可进行流量测量的一定量以上的清洗排水流过，测量清洗排水的流量；以及清洗品质管理装置，根据上述电磁流量计的检测信号，自动地判断清洗是否已完成的清洗品质；上述清洗品质管理装置包括：S/N测量部，测量上述电磁流量计的检测信号的S/N比；以及清洗完成判断部，具有S/N比·电导率判断表格，在成为预先确定的电导率以下的情况下，输出清洗完成，在该S/N比·电导率判断表格中，使用预先设定的电导率的清洗排水，预先将上述S/N比测量部的输出和上述清洗排水的电导率建立对应；根据上述电磁流量计的检测信号的S/N比的值，依据上述清洗排水的清洗品质是否良好，自动地判断清洗完成是否已完成。