[发明专利]基板及蓄电池

权利要求书

1.一种基板，其包含含有氧化钨粉末的半导体层，所述氧化钨粉末在拉曼光谱分析中，在268～274cm^-1的范围具有第一峰值、在630～720cm^－1的范围具有第二峰值及在800～810cm^-1的范围具有第三峰值，所述半导体层的厚度为1μm以上，而且，空隙率为20vol%以上且80vol%以下。

2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述氧化钨粉末的BET比表面积平均为0.1m²/g以上。

3.根据权利要求1～2中任一项所述的基板，其中，所述半导体层的厚度为5μm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板，其中，在所述氧化钨粉末的表面的至少一部分上形成有被膜。

5.根据权利要求4所述的基板，其中，所述被膜含有选自Y₂O₃、TiO₂、ZnO、SnO₂、ZrO₂、MgO、Al₂O₃，CeO₂、Bi₂O₃、Mn₃O₄、Tm₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅、La₂O₃及ITO之中的至少1种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板，其中，所述半导体层含有选自金属氧化物粉末、金属硼化物粉末、金属氟化物粉末、碳酸盐粉末、碳粉末、金属碳化物粉末及金属粉末之中的至少1种的第二粉末。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板，其中，所述半导体层的空隙的平均尺寸为5nm以上。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的基板，其中，所述半导体层的空隙的平均尺寸为7nm以上且20nm以下。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的基板，其中，所述半导体层的厚度为5μm以上且300μm以下，而且，所述半导体层的空隙率为40vol%以上且70vol%以下。

10.一种蓄电池，其含有：

权利要求1～9中任一项所述的基板；

对置电极；以及

填充在所述蓄电池用基板的所述半导体层与所述对置电极之间的电解质组合物。

11.根据权利要求10所述的蓄电池，其中，蓄电功能为100C/m²以上。

12.根据权利要求10～11中任一项所述的蓄电池，其中，所述电解质组合物含有碘和碘化物。

13.权利要求12所述的蓄电池，其中，所述电解质组合物中的所述碘的浓度在0.01～5mol/L的范围，所述碘化物的浓度在0.5～5mol/L的范围。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的蓄电池，其中，所述电解质组合物含有叔丁基吡啶。