[发明专利]一种宽检测范围的磁传感器件无效
| 申请号： | 201310061194.1 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103199191A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 梅欣;张俊 | 申请（专利权）人： | 溧阳市生产力促进中心 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01F1/01 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 范围 传感 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽检测范围的磁传感器件，包括活性层、金属电极层和保护层，其特征在于，
活性层为在基片上形成的纳米晶Fe2.95La0.05O3磁性材料；
金属电极层与活性层接触；
保护层直接覆盖活性层；
活性层的厚度为4～400纳米，优选为8～350纳米，更优选10～200纳米。
2.如权利要求1所述的磁传感器件，其特征在于，所述活性层是“十”字形。
3.如权利要求1所述的磁传感器件，其特征在于，所述活性层的线度在0.3～1微米。
4.如权利要求1～3中任一项所述的磁传感器件，其特征在于，所述金属电极层是钛和金电极层。
5.如权利要求1～3中任一项所述的磁传感器件，其特征在于，所述的保护层是二氧化硅保护层；所述的二氧化硅保护层的厚度为50纳米。
6.如权利要求1～3中任一项所述的磁传感器件，其特征在于，所述基片是玻璃、石英、单晶硅或单晶砷化镓。
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