[发明专利]用于图像传感器的增强型像素单元架构有效
申请号: | 201310059501.2 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103297722A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 真锅宗平 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/369;H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 增强 像素 单元 架构 | ||
1.一种背侧照明BSI像素阵列,其包括:
传送信号线,其具有第一线阻抗;
复位信号线,其具有第二线阻抗;
源极跟随器电力线,其具有第三线阻抗,所述第三线阻抗小于所述第一线阻抗或所述第二线阻抗中的至少一者;以及
第一像素单元,其包含:
光电二极管,其用以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累电荷;
传送晶体管,其具有耦合到所述传送信号线的栅极,以选择性地将来自所述光电二极管的所述电荷传送到浮动扩散节点;
复位晶体管,其具有耦合到所述复位信号线的栅极,以选择性地使所述浮动扩散节点的电压复位;以及
埋入式沟道源极跟随器晶体管,其耦合在所述源极跟随器电力线与位线之间,所述埋入式沟道源极跟随器晶体管包含耦合到所述浮动扩散节点的栅极,以将来自所述埋入式沟道源极跟随器晶体管的模拟信号直接输出到所述位线。
2.根据权利要求1所述的BSI像素阵列,其中所述第三线阻抗小于所述第一线阻抗和所述第二线阻抗两者。
3.根据权利要求1所述的BSI像素阵列,其中所述传送信号线、复位信号线和源极跟随器电力线中的每一者包含铝迹线,且其中所述源极跟随器电力线具有为所述BSI像素阵列的像素间距的至少80%的宽度或厚度。
4.根据权利要求1所述的BSI像素阵列,其中所述传送信号线、复位信号线和源极跟随器电力线中的每一者包含铜迹线,且其中所述源极跟随器电力线具有为所述BSI像素阵列的像素间距的至少50%的宽度或厚度。
5.根据权利要求1所述的BSI像素阵列,其中所述传送信号线、复位信号线和源极跟随器电力线的延伸越过或穿过所述第一像素的相应部分彼此平行。
6.一种图像传感器系统,其包括:
背侧照明BSI像素阵列,其包含:
传送信号线,其具有第一线阻抗;
复位信号线,其具有第二线阻抗;
源极跟随器电力线,其具有第三线阻抗,所述第三线阻抗小于所述第一线阻抗或所述第二线阻抗中的至少一者;
第一像素单元,其包含:
光电二极管,其用以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累电荷;
传送晶体管,其具有耦合到所述传送信号线的栅极,以选择性地将来自所述光电二极管的所述电荷传送到浮动扩散节点;
复位晶体管,其具有耦合到所述复位信号线的栅极,以选择性地使所述浮动扩散节点的电压复位;以及
埋入式沟道源极跟随器晶体管,其耦合在所述源极跟随器电力线与位线之间,所述埋入式沟道源极跟随器晶体管包含耦合到所述浮动扩散节点的栅极,以将来自所述埋入式沟道源极跟随器晶体管的模拟信号直接输出到所述位线;以及
读出电路,其经耦合以从所述BSI像素阵列读出图像数据。
7.根据权利要求6所述的图像传感器系统,其中所述第三线阻抗小于所述第一线阻抗和所述第二线阻抗两者。
8.根据权利要求6所述的图像传感器系统,其中所述传送信号线、复位信号线和源极跟随器电力线中的每一者包含铝迹线,且其中所述源极跟随器电力线具有为所述BSI像素阵列的像素间距的至少80%的宽度或厚度。
9.根据权利要求6所述的图像传感器系统,其中所述传送信号线、复位信号线和源极跟随器电力线中的每一者包含铜迹线,且其中所述源极跟随器电力线具有为所述BSI像素阵列的像素间距的至少50%的宽度或厚度。
10.根据权利要求6所述的图像传感器系统,其中所述传送信号线、复位信号线和源极跟随器电力线的延伸越过或穿过所述第一像素的相应部分彼此平行。
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