[发明专利]一种高纯钽靶材的生产方法

权利要求书

1.一种高纯钽靶材的生产方法，其特征在于：所述的生产方法包括依次进行的如下步骤：

（1）、选择纯度大于99.999%的钽锭为原料，将钽锭切割成大小为5~10mm*5~10mm的块体，将钽块置于氢化炉中，将真空抽至6.67×10^-3Pa及以下，然后充入1atm氢气，再将真空度抽至6.67×10^-3Pa及以下，充入氢气，将炉内压力调为10^-1Pa级，开始加热，升温速率为100~400℃/h，温度升至300~500℃时，保持炉内氢气压力为0.5~1.2atm，持续升温直至温度达550~850℃，待炉内压力不再出现下降时，停止加热，随炉冷却，温度低于50℃时出炉；

（2）、将吸氢完毕的钽颗粒用对辊破碎机破碎成-100目的粉末，再用气流粉碎机粉碎成为-200目的粉体，然后置于钢包套中，抽气，让炉内压力保持在10^-2Pa级，然后将钢包套置于井式加热炉中加热，升温速率为100~400℃/h，温度升至300~500℃时，开始持续抽气，炉内压力保持在10^-1Pa级，持续升温直至温度达600~900℃，待炉内压力不再变化时，停止抽气，将抽气口焊死，之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结，烧结温度为1100~1500℃，气氛压力为50~200MPa，保温时间为1~5小时，随炉冷，泄压，从钢包套中取出钽，机加工，切割成规定形状，即得所述高纯钽靶材。

2.根据权利要求1所述的高纯钽靶材的生产方法，其特征在于：步骤（1）中，持续升温直至温度达600~700℃。

3.根据权利要求1所述的高纯钽靶材的生产方法，其特征在于：步骤（2）中，持续升温直至温度达650~800℃。

4.根据权利要求1所述的高纯钽靶材的生产方法，其特征在于：步骤（2）中，所述烧结温度为1150~1250℃。

5.根据权利要求1或4所述的高纯钽靶材的生产方法，其特征在于：步骤（2）中，烧结时，所述气氛压力为100~150MPa，保温时间为2~3小时。

6.一种权利要求1至5中任一项权利要求所述的生产方法生产的高纯钽靶材，其特征在于：纯度大于等于99.99wt%，晶粒尺寸小于等于80微米。

7. 根据权利要求6所述的高纯钽靶材，其特征在于：晶粒尺寸为40~60微米。