[发明专利]一种头花蓼种子的温控大棚育苗方法无效
申请号: | 201310059260.1 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103081708A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 王恩源;龙凤荣;刘世会;赵德刚;舒链;马鲜;扬琴 | 申请(专利权)人: | 贵州弘康药业有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人: | 王娟;郭防 |
地址: | 551200 贵州省黔*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 头花 种子 温控 大棚 育苗 方法 | ||
发明领域:
本发明涉及一种头花蓼种子的温控大棚育苗方法,属于药用植物种植的技术领域。
技术背景:
头花蓼(Polygonum capitatum Buch.-Ham. ex D. Don)为蓼科(Polygonaceae)蓼属(Polygonum)多年生草本植物,以全草或地上部分入药,是贵州苗族的“特色苗药”之一,对治疗泌尿系统疾病有独特疗效。以头花蓼为主要原料的热淋清胶囊,以其安全及确切疗效而被国家食品药品监督管理局评为二级“中药保护品种”。 2009年再次被国家劳动社会保障部评选入《国家基本医疗保险和工伤保险药品目录》。
近年来,制药企业对该原料的需求量逐年上升,而野生头花蓼资源已开始枯竭,栽培头花蓼的产量就直接影响着企业的生产。头花蓼优良种苗的培育可以为头花蓼的高产提供重要保障。
目前,头花蓼的育苗方法主要有塑料大棚育苗法和大田拱棚育苗法。育苗的基本程序是:(1)选地。一般选择背风向阳,水源方便,土壤较肥沃,透水、透气性较好的沙质地作头花蓼的育苗地。(2)苗床准备。塑料大棚育苗苗床准备是于播种前,在塑料大棚内用砖砌成宽1m、高20cm、长随棚的育苗床。苗床内填15cm厚、过8目筛的细熟土,然后每公顷均匀撒30t腐熟农家肥和复合肥300kg做底肥,与床土拌匀后,用刮板刮平床面。大田拱棚苗法是于播种前翻耕30cm深,结合整土,捡去各种宿根及大的石砾,沿棚向做成宽1m、高10cm的畦,畦间距为40cm,畦面均匀撒腐熟的农家肥(30t/hm2)和复合肥(300kg/hm2)做底肥,结合整细土壤与畦土混匀,然后浇透水。(3)播种。播种时间为2月下旬-3月中旬,播种方法是用种子(2-3g/m2)与200倍细土混匀,用手均匀撒于厢面上,撒种后用薄膜覆盖,以保温保湿。(4)苗期管理。包括揭膜、喷水、拔草、间苗、通风降温、排水防涝、炼苗等工作。
这两种方法都需要做苗床准备,需要大量细熟土、农家肥、复合肥,苗床准备工作量大,大田拱棚育苗还要占用耕地,需选地、整地;播种时间受到限制;撒播后需盖地膜,做小拱棚,苗期管理不方便,要揭膜、除草间苗、排水防涝。因此,现有育苗方法存在工作量大、育苗成本高、苗期管理不方便等问题。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题在于提供一种头花蓼种子的温控大棚育苗方法,所述方法克服了现有头花蓼育苗方法中存在的工作量大、育苗成本高、苗期管理不方便等问题,所述方法快捷、简便、节约成本、容易进行苗期管理,播种时间不受限制,可以提前发芽及移栽大田时间,培育出头花蓼优良种苗。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案实现:
一种头花蓼种子的温控大棚育苗方法,包括下列步骤:
A.种子处理:将头花蓼种子去宿被;
B.种子精选:将步骤A得的去宿被种子用水浸泡,搅拌,静置,去除漂浮不饱满种子,取沉入水底饱满种子晾干作育苗使用;
C.播种:将步骤B的精选种子与细沙按1:2混合,均匀撒播在装有湿润育苗基质的育苗盘中,培养种子至出苗现2-3片真叶;
D.移植:将步骤C 的2片真叶苗移植到装有育苗基质的育苗穴盘中,每穴一棵苗;
E.苗期管理:将步骤C、D育苗盘放到温控大棚,培养至幼苗长到6-8片真叶时移栽大田。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤A的种子去宿被的方法是用双手揉搓头花蓼种子,将种子的外层宿被去除。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤B的种子用自来水浸泡,搅拌后静置5-10分钟。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤C、D的育苗盘材料为PVC,规格为:长530毫米,宽330毫米,54孔/片,上口直径57毫米,下口直径22毫米,深53毫米。其中步骤C的种子撒播量为纯种子 1g/盘。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤C中培育的苗为2片真叶苗;所述步骤E中培育的幼苗为6片真叶苗。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤C、D的基质均为同一基质,为市售的有机育苗基质。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤C的基质湿润度为手捏成团,触之则散。
前述的头花蓼种子的温控大棚育苗方法中,所述步骤D的基质湿度通过浇水控制在50-60%。
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