[发明专利]一种换流阀饱和电抗器铁芯损耗电路模型的建模方法

权利要求书

1.一种换流阀饱和电抗器铁芯损耗电路模型的建模方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

步骤1：在饱和电抗器两端施加冲击性激励，并测试饱和电抗器的端电压u(t)和流过该饱和电抗器电流i(t)；

步骤2：计算饱和电抗器的铁芯电阻R_m；

步骤3：计算铁芯磁通密度B_m；

步骤4：确定铁芯电阻R_m和铁芯磁通密度B_m的函数关系。

2.根据权利要求1所述的换流阀饱和电抗器铁芯损耗电路模型的建模方法，其特征在于：所述步骤1中，所述冲击性激励包括阶跃电压源、雷电冲击和陡坡冲击。

3.根据权利要求1所述的换流阀饱和电抗器铁芯损耗电路模型的建模方法，其特征在于：所述步骤2包括以下步骤：

步骤2-1：计算铁芯电阻的端电压e_m；

铁芯电阻的端电压e_m表示为

em=u(t)-L0didt-Rcui(t)---(1)]]>

其中，L₀表示饱和电抗器空心电感，R_cu表示饱和电抗器通态电阻；

步骤2-2：计算流过铁芯电感的电流i_m；

流过铁芯电感的电流i_m表示为

im=∫0temLmdt---(2)]]>

其中，L_m表示铁芯电感，其随流过饱和电抗器电流i(t)的变化而变化；

步骤2-3：计算铁芯电阻支路电流i_e；

铁芯电阻支路电流i_e表示为：

ie=i(t)-im=i(t)-∫0temLmdt=i(t)-∫0tu(t)-L0didt-Rcui(t)Lmdt---(3)]]>

步骤2-4：计算饱和电抗器的铁芯电阻R_m；

饱和电抗器的铁芯电阻R_m表示为：

Rm=emie=u(t)-L0didt-Rcui(t)i(t)-∫0tu(t)-L0didt-Rcui(t)Lmdt---(4)]]>

记作：

R_m＝f(u(t),i(t),t)（5）。