[发明专利]新型热电转换材料及其制备方法,以及使用该热电转换材料的热电转换器件有效

专利信息
申请号: 201310054899.0 申请日: 2009-08-31
公开(公告)号: CN103178202A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 朴哲凞;孙世姬;权元钟;洪承泰;金兑训 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/34
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 朱梅;刘晔
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 新型 热电 转换 材料 及其 制备 方法 以及 使用 器件
【权利要求书】:

1.具有天然超晶格结构的热电转换材料BiCuOTe,其中Cu2Te2层和Bi2O2层沿c晶轴交替排列,

其中,BiCuOTe的Bi、Cu和O中的至少一种是相对缺位的。

2.根据权利要求1所述的热电转换材料,

其中,当x、y和z各自为所述缺位的比例时,x、y和z分别为0≤x≤0.5、0≤y≤0.5和0≤z≤0.5,且x+y+z>0。

3.根据权利要求2所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为0≤x≤0.2、0≤y≤0.2和0≤z≤0.2。

4.根据权利要求3所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为0<x≤0.1、y=0和z=0。

5.根据权利要求3所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为x=0、0<y≤0.2和z=0。

6.根据权利要求3所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为0<x≤0.1、y=0和0<z≤0.1。

7.一种制备权利要求1中所述的热电转换材料的方法,该方法包括:

混合Bi2O3、Bi、Cu和Te的各个粉末;以及

烧结该混合材料以制备所述热电转换材料,

其中,所述烧结温度为400~750℃。

8.根据权利要求7所述的制备热电转换材料的方法,

其中,所述烧结温度为400~570℃。

9.一种热电转换器件,其包括权利要求1~6中任一项所述的热电转换材料。

10.具有天然超晶格结构的热电转换材料BiCuOTe,其中BiTeCu层和O层沿c晶轴交替排列,

其中,BiCuOTe的Bi、Cu和O中的至少一种是相对缺位的。

11.根据权利要求10所述的热电转换材料,

其中,当x、y和z各自为所述缺位的比例时,x、y和z分别为0≤x≤0.5、0≤y≤0.5和0≤z≤0.5,且x+y+z>0。

12.根据权利要求11所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为0≤x≤0.2、0≤y≤0.2和0≤z≤0.2。

13.根据权利要求12所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为0<x≤0.1、y=0和z=0。

14.根据权利要求12所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为x=0、0<y≤0.2和z=0。

15.根据权利要求12所述的热电转换材料,

其中,所述x、y和z分别为0<x≤0.1、y=0和0<z≤0.1。

16.一种制备权利要求10中所述的热电转换材料的方法,该方法包括:

混合Bi2O3、Bi、Cu和Te的各个粉末;以及

烧结该混合材料以制备所述热电转换材料,

其中,所述烧结温度为400~750℃。

17.根据权利要求16所述的制备热电转换材料的方法,

其中,所述烧结温度为400~570℃。

18.一种热电转换器件,其包括权利要求10~15中任一项所述的热电转换材料。

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