[发明专利]过热保护电路无效
| 申请号: | 201310053730.3 | 申请日: | 2013-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN103840430A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
| 发明(设计)人: | 许畅宰 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H02H5/04 | 分类号: | H02H5/04 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 过热 保护 电路 | ||
1.一种过热保护电路,包括:
温变电压产生单元,通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压;以及
防过热信号产生单元,比较所述温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压,以产生防过热信号,
其中,所述第一导通电压和所述第二导通电压具有相同分布。
2.根据权利要求1所述的过热保护电路,其中,所述与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率比所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。
3.根据权利要求2所述的过热保护电路,其中,所述温变电压产生单元包括:
与温度成比例的电压产生单元,检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流,以产生所述与温度成比例的电压;以及
分布校正单元,提供第一导通电压用于校正所述第二导通电压的分布。
4.根据权利要求3所述的过热保护电路,其中,所述与温度成比例的电压产生单元包括:
第一与温度成比例的电流源,输出所述与温度成比例的电流;以及
第一电阻器,将所述与温度成比例的电流作为与温度成比例的电压所述检测。
5.根据权利要求3所述的过热保护电路,其中,所述分布校正单元包括第一双极结晶体管(BJT),所述双极结型晶体管具有连接至所述与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至所述集电极的基极和连接至地的发射极,
其中,所述第一双极结晶体管根据所述第一双极结晶体管的发射极与所述第一双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第一导通电压。
6.根据权利要求1所述的过热保护电路,其中,所述第二导通电压随温度升高而降低的降低速率等于所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。
7.根据权利要求4所述的过热保护电路,其中,所述防过热信号产生单元包括:
比较器,比较所述温变电压和所述第二导通电压;以及
反相器,根据所述比较器的比较结果产生所述防过热信号。
8.根据权利要求7所述的过热保护电路,其中,所述比较器包括:
第二与温度成比例的电流源,产生与所述第一与温度成比例的电流源的电流相同的电流量;以及
第二双极结晶体管,具有连接至所述第二与温度成比例的电流源的集电极、具有在其上施加所述温变电压的基极和连接至地的发射极,
其中,所述第二双极结晶体管根据所述第二双极结晶体管的发射极与所述第二双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第二导通电压。
9.根据权利要求8所述的过热保护电路,其中,所述比较器进一步包括带隙电路,所述带隙电路连接在所述第二双极结晶体管的发射极与地之间,调整所述第二导通电压。
10.根据权利要求8所述的过热保护电路,其中,所述反相器包括:
P沟道场效应晶体管,具有连接至所述第二与温度成比例的电流源和所述第二双极结晶体管的集电极的连接点的栅极,在其上施加驱动电压的源极,和连接至输出所述防过热信号的输出端的漏极;以及
连接在所述漏极与地之间的恒流源。
11.一种过热保护电路,包括:
温变电压产生单元,通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压;
基准电压产生单元,提供随温度升高而降低的第三导通电压作为基准电压;以及
防过热信号产生单元,比较所述温变电压和所述基准电压,以产生防过热信号,
其中,所述第一导通电压和所述第三导通电压具有相同分布。
12.根据权利要求11所述的过热保护电路,其中,所述与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率比所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。
13.根据权利要求12所述的过热保护电路,其中,所述温变电压产生单元包括:
与温度成比例的电压产生单元,检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流,以产生所述与温度成比例的电压;以及
分布校正单元,提供所述第一导通电压用于校正所述第三导通电压的分布。
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