[发明专利]一种恒流环路

权利要求书

1.一种恒流环路，其特征在于，包括：

误差放大器，其一端与电流检测元件的一端连接；另外一端通过基准产生元件与电流检测元件的另一端连接；

电源，一端接地，另一端与金属氧化层半导体场效晶体管的源极或漏极连接；所述金属氧化层半导体场效晶体管的漏极或源极与所述电流检测元件的另一端连接。

2.如权利要求1所述的恒流环路，其特征在于，所述恒流环路还包括：

参考基准电流生成电路，连接在所述误差放大器与基准产生元件之间，用于生成参考基准电流。

3.如权利要求2所述的恒流环路，其特征在于，所述参考基准电流生成电路包括：

第二误差放大器，其一个输入端输入带隙基准电压VBG，另一输入端与第二金属氧化层半导体场效晶体管的源极或漏极连接，输出端与所述第二金属氧化层半导体场效晶体管的栅极连接；所述第二金属氧化层半导体场效晶体管的漏极或源极与所述基准产生元件一端连接，所述第二金属氧化层半导体场效晶体管的源极或漏极连接基准产生元件之后接地。

4.如权利要求3所述的恒流环路，其特征在于，Iref=VBG/Rref2；其中，Iref为基准产生元件两端的电流。

5.如权利要求4所述的恒流环路，其特征在于，所述电流检测元件为电阻Rsense。

6.如权利要求5所述的恒流环路，其特征在于，Isense=Iref×Rref/Rsense，Isense为电阻Rsense两端的电流，Iref为基准产生元件两端的电流。

7.如权利要求1至6中任一项所述的恒流环路，其特征在于，所述恒流环路还包括：

电平转换与驱动电路，其一端与所述金属氧化层半导体场效晶体管的栅极连接，另一端与所述误差放大器的输出端连接；用于对误差放大器的输出进行电平转换和驱动。

8.如权利要求1至6中任一项所述的恒流环路，其特征在于，所述恒流环路还包括：

校准电路，连接在所述误差放大器与基准产生元件之间，用于校准Rref两端的电压，修正恒流电流。

9.如权利要求8所述的恒流环路，其特征在于，所述校准电路包括若干个电流源，若干个电流源通过串联和/或并联连接。

10.如权利要求1至6中任一项所述的恒流环路，其特征在于，所述恒流环路还包括：

电池，一端连接在所述误差放大器与电流检测元件之间，另一端接地。