[发明专利]一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器有效
| 申请号： | 201310023657.5 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103116144A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 胡佳飞;田武刚;赵建强;张琦;潘孟春;李季;胡靖华 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 磁变轨 结构 磁场 传感器 | ||
1.一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，包括基底(5)、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器，所述两对输入输出电极镀于基底(5)的表面，每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥；所述基底(5)上设有两个对称的第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)，所述惠斯通电桥位于第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)之间，所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器，所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)之间的中间区域设有中心聚集器(9)，进而形成磁力线聚集器。
2.根据权利要求1所述的采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，所述中心聚集器(9)和凹坑边沿聚集器中间的气隙比GMR敏感元件宽，所述GMR磁敏感元件放置于中心聚集器(9)和凹坑边沿聚集器之间；所述GMR参考元件位于中心聚集器(9)的下方。
3.根据权利要求2所述的采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，所述GMR敏感元件和GMR参考元件均呈细条形。
4.根据权利要求2所述的采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，所述GMR敏感元件和GMR参考元件采用自旋阀结构或采用多层膜结构。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，所述基底(5)采用本征硅，通过光刻之后在本征硅100平面用腐蚀液蚀刻出对称的第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)，所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)的斜面为本征硅的111平面，与本征硅的100平面的夹角为54.74°。
6.根据权利要求5所述的采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，所述本征硅的表面通过采用气相化学反应沉积一层绝缘层。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，其特征在于，所述一对输入输出电极包括惠斯通电桥偏置电极和惠斯通电桥信号输出电极。
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