[发明专利]低电压能隙参考电路有效
申请号: | 201310021390.6 | 申请日: | 2013-01-21 |
公开(公告)号: | CN103885519A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 张竟宏;郭圳龙;吴清堂;吴忠政;郑仲皓 | 申请(专利权)人: | 硅成积体电路股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 参考 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种低电压能隙参考电路,尤其是具有小于输入电源的单一稳定操作点,并提供小于输入电源的参考电压。
背景技术
一般高功能电子电路的正常操作需要不受输入电源、负载程度、温度影响的参考电压,比如当作比较器的输入信号,藉以判断内部或外部特定电气信号大小。参考电压通常是由具复杂结构的参考电路而实现,以降低并阻隔输入电源、负载程度、温度的影响。
在现有技术中,业者已开发出许多能防止输入电源及负载影响的参考电路,但是对于温度的影响,一般是利用差讯运算放大器,配合多个电阻及多个二极管,组合成同时具有正温度系数及负温度系数的电路,尤其是正温度系数及负温度系数的大小被设计成相互抵消,因此,可消除或大幅降低温度的影响,亦即整体参考电路的一阶或二阶温度系数为零。
如图1所示的现有技术能隙参考电路,其中能隙参考电路包括差讯运算放大器OP、金氧半场效晶体管P、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一二极管D1及第二二极管D2,可在金氧半场效晶体管P的汲极产生参考电压Vref而输出,其中第二二极管D2是由多个电气特性相同于第一二极管D1的二极管经并联连接而实现。
具体而言,差讯运算放大器OP的输出端连接金氧半场效晶体管P的闸极,金氧半场效晶体管P的源极连接输入电源Vcc,第一电阻R1串接在金氧半场效晶体管P的汲极以及第一二极管D1的正端之间,第二电阻R2及第三电阻R3串接结合而进一步连接至金氧半场效晶体管P的汲极以及第二二极管D2的正端之间。尤其是,第一二极管D1的正端进一步连接至差讯运算放大器OP的反相输入端,而第二电阻R2及第三电阻R3的串接点进一步连接至差讯运算放大器OP的非反相输入端,藉以提供回授控制路径。
图1现有技术能隙参考电路的详细操作分析如下。
首先,依据方程式(1)所示的二极管的电流-电压特性方程式:
其中q:一个电子的电量(1.6×10-19C)
K:波次曼常数(1.38×10-23J/K)
T:绝对温度
Is:逆向饱和电流
Vf:热电压
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