[发明专利]一种可用于高温材料的Si-B-C-N材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310020778.4 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN103073321A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 薛文东;白立雄;孙加林;李勇;陈俊红 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/65
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 高温 材料 si 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可用于高温材料的新型Si-B-C-N材料,其特征在于,该材料的各组分的质量百分比为:金属Si  10%~50%;SiC 40~80%;B4C 5~10%;石墨 0~5%。

2.根据权利要求1所述的可用于高温材料的新型Si-B-C-N材料,其特征在于,所述Si-B-C-N陶瓷材料中B4C为B元素的引入方式。

3.一种如权利要求1所述的可用于高温材料的Si-B-C-N材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

1)原料预处理,其中处理方法如下:

按照质量百分比为40~80%的SiC碳化硅、10~50%金属Si 、5~10% B4C和0~5%石墨分别称取粒度为1000-1500目的上述原料粉末,在温度为1000℃中保温2小时;再将上述原料粉末和占原料粉末总质量分数为1%~8%的粘结剂混合,加入球磨机中球磨正反各1小时,备用;

2)成型工艺:

将加入粘结剂球磨过的原料,放入模具,在压力为10MP压制成坯体,置于烘箱内在温度为200℃干燥1个小时,放在室温静置48小时,备用;

3)高温氮化烧结工艺:

将坯体放在氮化炉中进行氮化烧结,烧结制度为8℃/min从0℃升温至900℃,5℃/min从900℃升温至1050℃,2℃/min从1050℃升温至1300℃,5℃/min从1300℃升温至1400℃,在1400℃保温4小时,以2℃/min从1400℃降温至1050℃,之后自然降温至室温。

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