[发明专利]一种电源转换器中的高压启动电路在审

专利信息
申请号: 201310009013.0 申请日: 2013-01-10
公开(公告)号: CN103078486A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 张楠 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 马晓亚
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电源 转换器 中的 高压 启动 电路
【权利要求书】:

1.一种高压启动电路,其包括

高压N型耗尽型晶体管,所述耗尽型晶体管为四端口器件,其中所述耗尽型晶体管的漏端接HVDC端口,从HVDC端口的电源取电;

第一晶体管,所述第一晶体管为四端口器件,其中所述第一晶体管的漏端连接所述耗尽型晶体管的源端;

二极管,所述二极管正端连接变压器的线圈,负端连接所述第一晶体管的源端;

变压器的线圈,所述变压器的线圈连接所述二极管的正端;

储能电容,所述储能电容的一端连接所述二极管的负端和所述第一晶体管的源端;

第二晶体管,所述第二晶体管为四端口器件,其中所述第二晶体管的漏端连接所述第一晶体管的栅端和所述耗尽型晶体管的栅端,所述第二晶体管的栅端连接SD端口,接受SD端口信号的控制;

电阻型器件,所述电阻型器件一端连接所述耗尽型晶体管的源端和所述第一晶体管的漏端,另一端连接所述耗尽型晶体管的栅端和所述第一晶体管的栅端。

2.根据权利要求1所述的高压启动电路,其特征在于:

所述耗尽型晶体管是电压控制电流型器件,具有负的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的高压启动电路,其特征在于:

所述第一晶体管是隔离晶体管,或者非隔离晶体管。

4.根据权利要求1所述的高压启动电路,其特征在于:

所述电阻型器件是电阻或者晶体管。

5.根据权利要求1到4中任意一项所述的高压启动电路,其特征在于:

还具有过压保护电路,所述过压保护电路连接所述第二晶体管的源端和所述二极管的正端,所述第二晶体管的源端和所述二极管的正端为所述过压保护电路提供电源。

6.根据权利要求5所述的高压启动电路,其特征在于:

当HVDC端的电源上电后,给SD端口赋予低电平,所述耗尽型晶体管和所述第一晶体管通过所述电阻型器件偏置导通,对所述储能电容器充电;

当充电一段时间后,给SD端口赋予高电平,打开所述第二晶体管,所述电阻型器件开始有电流通过,所述电阻型器件作为第二晶体管的负载,为所述耗尽型晶体管提供负电压偏置,关断所述第一晶体管。

7.根据权利要求6所述的高压启动电路,其特征在于:

所述给SD端口赋予高电平的条件为:应用系统检测所述储能电容的VDD电压达到启动阈值,则系统开始工作,给SD端口赋予高电平。

8.根据权利要求7所述的高压启动电路,其特征在于:

当所述储能电容的电压VDD超过了保护阈值,启动所述过压保护电路,从而关断所述启动电路,结束对所述储能电容的充电动作。

9.根据权利要求6到8中任意一项所述的高压启动电路,其特征在于:

所述储能电容上的电压VDD最高能够被充到HVDC的电压。

10.一种电源转换器,其包括如权利要求1-9中任意一项所述的高压启动电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司,未经无锡华润上华半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310009013.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top