[发明专利]包括使用深降电模式的高能效处理器热节流的用于高能效且节能的方法、装置和系统有效
申请号: | 201280070469.1 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN104137024B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | I·M·索迪;E·罗特姆;A·纳韦;S·S·加哈吉达;V·乔治 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 使用 深降电 模式 能效 处理器 节流 用于 节能 方法 装置 系统 | ||
1.一种用于热控制的方法,包括:
在处理器正在活动处理器功率状态中执行数据处理之时检测到所述处理器的温度高于第一阈值;
基于所述检测,将所述处理器的处理器功率状态从所述活动处理器功率状态改变为零处理器功率状态;
在将所述处理器的处理器功率状态从活动处理器功率状态改变为所述零处理器功率状态之后,接着检测到所述处理器的温度低于第二阈值,其中所述第二阈值低于所述第一阈值;以及
基于检测到所述处理器的温度低于所述第二阈值,将所述处理器功率状态从所述零处理器功率状态改变为活动处理器功率状态以致使所述处理器处理数据,其中所述第一阈值是基于所述处理器被安装在其中的设备的热设计而预先确定的;且其中所述第二阈值是基于致使所述零处理器功率状态的时间段与所述活动处理器功率状态的时间段具有预定比例关系而预先确定的。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一阈值是基于所述处理器的结温度以及所述处理器被安装在其中的设备的预定设备机架温度阈值上限来选择的;且其中所述第二阈值被确定为在所述第一阈值的百分之50到百分之85之间。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述处理器的处理器功率状态从所述活动处理器功率状态改变为零处理器功率状态包括执行以下各项中的一者:关闭所述处理器、将所述处理器置于零电压睡眠状态、以及将所述处理器工作电压和时钟频率改变为零。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,检测到所述处理器的温度高于第一阈值进一步包括:
使用附连到所述处理器的热传感器来检测所述处理器在一时间段上的温度;
基于所述热传感器读数来确定所述处理器的温度已经增加到高于所述第一阈值。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述活动处理器功率状态是以下之一:非零功率状态、以及等于或高于所述处理器的热设计点的处理器功率状态。
6.一种计算装置,包括:
处理器管芯,包括:
执行单元,耦合到热传感器以及耦合到功率控制单元,其中所述热传感器耦合到所述功率控制单元;
所述热传感器用于在所述执行单元正在活动处理器功率状态中执行数据处理之时检测到所述执行单元的温度已经增大到高于第一阈值;
所述功率控制单元用于基于所述检测将所述执行单元的处理器功率状态从所述活动处理器功率状态改变为零处理器功率状态;
其中,所述热传感器用于在将所述处理器功率状态从所述活动处理器功率状态改变成所述零处理器功率状态之后然后检测到所述执行单元的温度已经降至低于第二阈值,其中所述第二阈值低于所述第一阈值;
所述功率控制单元用于基于检测到所述执行单元的温度低于所述第二阈值,将所述处理器功率状态从所述零处理器功率状态改变为活动处理器功率状态以致使所述执行单元处理数据,其中所述第一阈值是基于所述执行单元被安装在其中的设备的热设计而预先确定的;且其中所述第二阈值是基于致使所述零处理器功率状态的时间段与所述活动处理器功率状态的时间段具有预定比例关系而预先确定的。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一阈值是基于所述执行单元的结温度以及所述执行单元被安装在其中的设备的预定设备机架温度阈值上限来选择的;且其中所述第二阈值被确定为在所述第一阈值的百分之50到百分之85之间。
8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,将所述处理器的处理器功率状态从所述活动处理器功率状态改变为零处理器功率状态包括执行以下各项中的一者:关闭所述处理器、将所述处理器置于零电压睡眠状态、以及将所述处理器工作电压和时钟频率改变为零。
9.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述功率控制单元进一步用于:
使用所述热传感器来检测所述执行单元在一时间段上的温度;
如果确定所述执行单元的温度已经增大到高于所述第一阈值,则关闭所述执行单元。
10.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述活动处理器功率状态是以下之一:非零功率状态、以及等于或高于所述执行单元的热设计点的处理器功率状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280070469.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:安装点、超导磁体结构、一装置和托板
- 下一篇:电子病历生成方法及系统