[发明专利]生成替换默认读取阈值的系统和方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种在存储器系统中更新默认(default)读取阈值。

背景技术

诸如通用串行总线(USB)闪存设备或可移除存储卡的非易失性存储器设备已允许数据和软件应用的增加的便携性。闪存设备可以通过在每一个闪存单元中存储多个比特来增加数据存储密度。例如，多级单元(MLC)闪存设备通过在每单元存储3比特、在每单元存储4比特或更多而提供增加的存储密度。

在单个闪存单元中存储多个比特的信息通常包括将比特序列映射为闪存单元的状态。例如，第一比特序列“110”可以与闪存单元的第一状态对应，并且第二比特序列“010”可以与闪存单元的第二状态对应。在确定将在特定闪存单元中存储比特序列时，可以将闪存单元编程为与所述比特序列对应的状态。

一旦存储器设备中的存储器单元已编程，就可以通过比较单元阈值电压和一个或多个读取阈值而感测存储器单元的编程状态来从存储器单元读取数据。然而，由于诸如数据保留和编程干扰情况的一个或多个因素，感测到的编程状态有时可能与写入的编程状态不同。可以更新读取阈值以减少由与写入的编程状态不匹配的感测到的编程状态产生的数据错误数量。然而，在存储器的一部分中选择以减少错误的读取阈值可能引起当从存储器的另一部分读取数据时错误增加。

发明内容

至少部分基于默认读取阈值和更新的读取阈值的替换默认读取阈值的生成可以提高多级单元(MLC)NAND闪存系统中的错误校正能力。例如，与仅使用更新的读取阈值相比较，可以通过基于默认读取阈值和更新的读取阈值的加权平均值生成替换默认读取阈值来实现改进的错误校正能力。

附图说明

图1是生成存储器的替换默认读取阈值的系统的第一示意性实施例的框图；

图2是示出可以由图1的存储器表现的读取阈值和读取电压分布的示例的图；

图3是生成替换默认读取阈值的系统的第二示意性实施例的框图；

图4是示出使用默认读取阈值从存储器读取数据，以及响应于遇到与使用默认读取阈值从存储器读取的数据相关联的错误校正编码操作故障，在使用更新的读取阈值从存储器读取数据之后，执行使用替换读取阈值的随后的存储器读取的示例的框图；

图5是示出生成替换默认读取阈值的方法的具体实施例的流程图；以及

图6是示出使用默认读取阈值、更新的读取阈值和替换默认读取阈值从存储器读取数据的方法的具体实施例的流程图。

具体实施方式

提供更新的读取阈值以减少随着存储器老化在整个存储器上存储的数据的总体访问错误的解码技术可以在数据存储设备尺寸减小和存储密度增加时提供改进的性能。与仅使用更新的读取阈值相比较，至少部分基于默认读取阈值和更新的读取阈值的替换默认读取阈值的生成能够提高多级单元(MLC)NAND闪存系统中的错误校正能力。

生成替换默认读取阈值的系统和方法使用默认读取阈值从数据存储设备中的存储器读取数据。响应于遇到与使用默认读取阈值从存储器读取的数据相关联的错误校正编码操作故障，使用更新的读取阈值从存储器读取数据。至少部分基于默认读取阈值和更新的读取阈值生成替换默认读取阈值。向存储器发送替换默认读取阈值以在随后的读取操作中使用。

参考图1，生成替换默认读取阈值的系统的具体示意性实施例被描绘并总体表示为100。系统100包括与主机设备130耦接的数据存储设备102。数据存储设备102包括经由总线150与存储器104耦接的控制器106。例如，总线150可以是安全数字(SD)总线。

数据存储设备102可以是存储卡，诸如安全数字卡、微型卡、迷你SD.TM卡(特拉华州、威尔明顿、SD-3C LLC的商标)、多媒体卡.TM(MMC.TM)卡(佛吉尼亚州、阿灵顿、JEDEC固态技术协会的商标)或压缩闪存(CF)卡(加利福尼亚州、米尔皮塔斯、SanDisk公司的商标)。作为另一示例，数据存储设备102可以是在主机设备130中嵌入的存储器，作为示意性示例，诸如(佛吉尼亚州、阿灵顿、JEDEC固态技术协会的商标)和eSD存储器。