[发明专利]蓄电装置有效
| 申请号： | 201280044740.4 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103797620B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 田岛亮太;山崎舜平;小国哲平;长多刚;笹川慎也;栗城和贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01G11/22;H01M4/134 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
1.一种负电极，包括：
活性物质层，包括：
共同部；和
从所述共同部突出的多个突起；
在所述共同部及所述多个突起之上的包括石墨烯的层；
所述多个突起中的每一个的顶部与包括所述石墨烯的所述层之间的保护层；以及
在包括所述石墨烯的所述层之上的绝缘层，
其中所述保护层包括导电层或半导体层。
2.根据权利要求1所述的负电极，还包括与所述活性物质层相接触的集电体。
3.一种负电极，包括：
集电体；
活性物质层，包括：
在所述集电体之上的共同部；和
从所述共同部突出的多个突起；
在所述共同部及所述多个突起之上的包括石墨烯的层；
所述多个突起中的每一个的顶部与包括所述石墨烯的所述层之间的保护层；以及
在包括所述石墨烯的所述层之上的绝缘层，
其中所述保护层包括导电层或半导体层。
4.根据权利要求1或3所述的负电极，其中所述多个突起的轴朝向相同的方向。
5.根据权利要求1或3所述的负电极，其中在横截面形状中，所述多个突起中的每一个的与所述共同部接触的底部的面积比所述多个突起中的每一个的所述顶部的面积大。
6.根据权利要求1或3所述的负电极，其中所述共同部或所述多个突起包含硅。
7.根据权利要求1或3所述的负电极，其中所述多个突起分别具有柱状、圆锥或棱锥体状、类似板状或类似管状。
8.根据权利要求1或3所述的负电极，其中在纵截面形状中，所述多个突起中的每一个的与所述共同部接触的底部的宽度为0.1至1μm。
9.一种负电极，包括：
集电体；
在所述集电体之上的多个突起；
在所述集电体及所述多个突起之上的包括石墨烯的层；
所述多个突起中的每一个的顶部与包括所述石墨烯的所述层之间的保护层；以及
在包括所述石墨烯的所述层之上的绝缘层，
其中所述保护层包括导电层或半导体层，和
其中所述多个突起中的每一个由活性物质构成。
10.根据权利要求9所述的负电极，其中所述多个突起的轴朝向相同的方向。
11.根据权利要求9所述的负电极，其中在横截面形状中，所述多个突起中的每一个的与所述集电体接触的底部的面积比所述多个突起的每一个的所述顶部的面积大。
12.根据权利要求9所述的负电极，其中在纵截面形状中，所述多个突起中的每一个的与所述集电体接触的底部的宽度比所述多个突起中的每一个的所述顶部的宽度大。
13.根据权利要求9所述的负电极，其中所述多个突起分别具有柱状、圆锥或棱锥体状、类似板状或类似管状。
14.根据权利要求9所述的负电极，其中所述活性物质包括硅。
15.根据权利要求14所述的负电极，其中所述多个突起包括磷或硼作为杂质。
16.根据权利要求1、3和9中任一项所述的负电极，所述多个突起通过蚀刻形成。
17.根据权利要求1、3和9中任一项所述的负电极，其中所述多个突起具有平移对称性。
18.根据权利要求1、3和9中任一项所述的负电极，
其中所述多个突起中的每一个具有圆柱形状，和
其中所述多个突起中的每一个的顶部或棱是弯曲的。
19.一种蓄电装置，包括：
根据权利要求1、3和9中任一项所述的负电极；
正电极；和
电解液。
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