[发明专利]由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备有效
| 申请号： | 201280044226.0 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105264680B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | D·J·吉尔伯特;Y·E·施泰恩;M·J·史密斯;J·P·哈纳;P·格林兰德;B·考帕;F·诺斯 | 申请（专利权）人： | 阿姆巴托雷股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曹雯<国际申请>=PCT/US2012/ |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料形成 低电阻 层压 改性 | ||
1.一种计算设备，包括：
至少部分由改性的极低电阻(ELR)材料形成的组件，其中，所述改性的极低电阻材料包括改性材料和极低电阻材料，并且其中，所述改性材料键合到所述极低电阻材料的晶体结构的、平行于所述晶体结构的a-面或b-面的面，以使得所述改性的极低电阻材料具有改善的工作特性，
其中，极低电阻是II型超导材料在超导状态下的电阻，并且改性材料包含铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑或铍。
2.一种电气设备，包括：
至少部分由改性的极低电阻(ELR)材料形成的组件，其中，所述改性的极低电阻材料包括改性材料和极低电阻材料，并且其中，所述改性材料键合到所述极低电阻材料的晶体结构的、平行于所述晶体结构的a-面或b-面的面，以使得所述改性的极低电阻材料具有改善的工作特性，
其中，极低电阻是II型超导材料在超导状态下的电阻，并且改性材料包含铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑或铍。
3.一种机械设备，包括：
至少部分由改性的极低电阻(ELR)材料形成的组件，其中，所述改性的极低电阻材料包括改性材料和极低电阻材料，并且其中，所述改性材料键合到所述极低电阻材料的晶体结构的、平行于所述晶体结构的a-面或b-面的面，以使得所述改性的极低电阻材料具有改善的工作特性，
其中，极低电阻是II型超导材料在超导状态下的电阻，并且改性材料包含铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑或铍。
4.一种计算设备，包括：
至少部分由极低电阻(ELR)材料形成的组件，所述极低电阻材料具有改性材料，所述改性材料在高于150K的温度处工作在极低电阻状态中，其中，所述改性材料键合到所述极低电阻材料的晶体结构的、平行于所述晶体结构的a-面或b-面的面，以使得所述极低电阻材料具有改善的工作特性，
其中，极低电阻是II型超导材料在超导状态下的电阻，并且改性材料包含铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑或铍。
5.一种电气设备，包括：
至少部分由极低电阻(ELR)材料形成的组件，所述极低电阻材料具有改性材料，所述改性材料在高于150K的温度处工作在极低电阻状态中，其中，所述改性材料键合到所述极低电阻材料的晶体结构的、平行于所述晶体结构的a-面或b-面的面，以使得所述极低电阻材料具有改善的工作特性，
其中，极低电阻是II型超导材料在超导状态下的电阻，并且改性材料包含铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑或铍。
6.一种机械设备，包括：
至少部分由极低电阻(ELR)材料形成的组件，所述极低电阻材料具有改性材料，所述改性材料在高于150K的温度处工作在极低电阻状态中，其中，所述改性材料键合到所述极低电阻材料的晶体结构的、平行于所述晶体结构的a-面或b-面的面，以使得所述极低电阻材料具有改善的工作特性，
其中，极低电阻是II型超导材料在超导状态下的电阻，并且改性材料包含铬、铜、铋、钴、钒、钛、铑或铍。
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