[发明专利]近场噪声抑制薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种廉价的噪声抑制薄膜，其能够吸收移动电话、智能手机等移动信息终端、个人计算机等电子仪器等中的近场的数百MHz至数GHz的电磁波。

背景技术

近年来，移动通信终端、电子仪器等在实现多功能化以及高性能化之外，还谋求小型化以及轻型化，在狭小的空间内高密度地配置有电子元件，并且也谋求高速化。因此，电路或部件间的电磁波噪声、尤其是是数百MHz至数GHz的高频噪声成为较大问题。为了抑制这样的近场的电磁波噪声，提出各种噪声抑制薄膜的方案，并将其实用化。

这样的噪声抑制薄膜大多含有磁性材料以及/或者导电材料。例如，日本特开2010-153542号公开了一种电磁波噪声抑制薄膜，其具有：基材；由含有Cu等金属或者碳的颗粒、鳞片或者细线的导电性涂敷材料构成的导电层；以及含有铁酸盐、山达斯特合金、高导磁铁镍合金等软磁性材料的磁性涂敷材料构成的磁性层。另外，日本特开2006-278433号公开有一种复合电磁波噪声抑制薄膜，其例如将由具有Fe_bal-Cu₁-Si_12.5-Nb₃-Cr₁-B₁₂(原子％)的组成的非晶体薄片那样的软磁性体粉末与树脂构成的砑光加工后的两枚以上的片进行层叠，进一步利用砑光加工实现一体化。然而，日本特开2010-153542号或者日本特开2006-278433号所公开的噪声抑制薄膜皆不具有足够的近场噪声的吸收能力，且由于将磁性材料以及/或者导电材料炼入树脂而成形为片，因此存在薄壁化困难且制造成本高这样的问题。

日本特开2006-279912号公开有AlO、CoAlO、CoSiO等溅射薄膜，其作为近场电磁波噪声抑制薄膜，相对于准微波带域所产生的电磁波噪声，为了将其反射系数(S₁₁)设为-10dB以下，并且将噪声抑制效果(ΔP_loss/P_in)设为0.5以上，将电阻值控制为与空间的特性阻抗Z(377Ω)整合的10～1000Ω/单位面积。然而，该近场电磁波噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力并不足够。

日本特开2008-53383号公开有散热特性优异的电波吸收·密封薄膜，其包括：在面方向与厚度方向上导热率不同的石墨薄膜；包含形成在其上的Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等软磁性体；Mn-Zn系、Ba-Fe系、Ni-Zn系等铁酸盐；以及碳颗粒的软磁性层。然而，该电波吸收·密封薄膜的电磁波吸收能力也并不足够。

日本特开平05-226873号在实施例1中公开有一种电波吸收体，其在厚度为50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀有厚度为12nm的镍之后，在空气中以200℃加热1小时，将获得的热处理镍蒸镀薄膜借助粘合剂进行层叠而成。然而，在日本特开平05-226873号的技术方案中存在如下问题：(1)当在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上利用蒸镀法来形成的Ni薄膜的表面电阻为数十Ω/单位面积左右时，相对于近场电磁波噪声具有优异的吸收能力，但精度良好地形成这样薄的Ni薄膜是非常困难的，实际上形成的Ni薄膜的表面电阻存在较大不均，以及(2)这样薄的Ni薄膜的表面电阻受到较大经时变化，为了完全稳定而不仅需要长时间，通过其间的环境条件(温度、湿度等)使表面电阻的经时变化不同。

因而，在日本特开平05-226873号中并不具有减弱电磁波吸收能力的不均以及经时变化且稳定具有优异的电磁波吸收能力这样的目的。因此，日本特开平05-226873号中的热处理条件扩大为50～400℃以及30分钟～5小时，在实施例1中为200℃以及1小时。另外，日本特开平05-226873号中没有对Ni薄膜的热处理时的薄膜的热收缩问题进行任何研究。因此，日本特开平05-226873号中，作为Ni薄膜的基材，举出了聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚、聚氯乙烯等塑料薄板、黄铜、铜、铁、不锈钢、铝等金属，在实施例1中使用了聚酰亚胺薄膜这样的在热处理温度下不进行热收缩的耐热性树脂。

日本特开2006-295101号公开了一种平均厚度为2～100nm的噪声抑制体，其具有支承体、形成在所述支承体上的镍薄膜，从镍薄膜的表面电阻的实测值换算出的体积电阻率R1(Ω·cm)与镍的体积电阻率R0(Ω·cm)满足0.5≤logR1-logR0≤3的条件。在薄膜中镍形成微小的组(cluster)。但是，日本特开2006-295101号对热处理没有进行任何记载。