[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备

说明书

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。

背景技术

将如充电和清洁等的电的外力和机械的外力施加至电子照相感光构件的表面。因此，要求电子照相感光构件对这些外力的耐久性(如耐磨耗性)。

为了满足该要求，在相关领域中使用例如在电子照相感光构件的表面层中使用耐磨耗性高的树脂(如固化性树脂)的改进技术。

另一方面，由提高电子照相感光构件表面的耐磨耗性引起的问题的实例包括图像缺失。认为图像缺失通过如下引起：通过将电子照相感光构件表面充电产生的氧化性气体如臭氧和氮氧化物使电子照相感光构件的表面层用材料劣化，或者由于水分吸附引起的电子照相感光构件表面的低电阻化。电子照相感光构件表面的耐磨耗性越高，越难以恢复电子照相感光构件的表面(除去引起图像缺失的物质如劣化材料和吸附的水分)，更可能产生图像缺失。

作为图像缺失的改进技术，专利文献1公开了通过干式喷射(dry blasting)或湿式珩磨(wet honing)在电子照相感光构件表面上形成浅凹状凹部的技术。根据专利文献1，在电子照相感光构件表面上设置多个浅凹状凹部；由此，从初始阶段至约5000张可抑制图像缺失。

专利文献2公开了抑制图像缺失的技术，其中在电子照相感光构件表面上设置基于每100μm×100μm正方形为76个以上且1,000个以下的具有开口部平均长径为不小于3.0μm且不大于14.0μm的凹部，从而即使在高温高湿环境下也保持从初始阶段至约50000张的高的点再现性。

专利文献3公开了具有图案化表面的成像构件。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利3938209

专利文献2：日本专利申请特开2007-233355

专利文献3：日本专利申请特开2011-22578

发明内容

发明要解决的问题

然而，专利文献1中公开的技术仅抑制相对初始阶段时的图像缺失。另外，在充电设备附近显著产生的图像缺失方面的技术存在改进余地。此外，在高温高湿环境下电子照相设备放置数天的情况下经常产生的电子照相设备启动后即刻的图像缺失方面的技术存在改进余地。

专利文献2中公开的技术在如下方面也存在改进余地：在充电设备附近显著产生的图像缺失，和在高温高湿环境下电子照相设备放置数天的情况下经常产生的电子照相设备启动后即刻的图像缺失。

即使通过使用专利文献3中公开的技术，也没有获得抑制如下方面的充分效果：在充电设备附近产生的图像缺失，和在高温高湿环境下电子照相设备放置数天的情况下经常产生的电子照相设备启动后即刻的图像缺失。

本发明的目的在于提供难以产生图像缺失的电子照相感光构件，以及具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

用于解决问题的方案

本发明为包括支承体和在支承体上形成的感光层的电子照相感光构件，其中电子照相感光构件的表面包括多个凹部和除凹部以外的部分，各凹部具有深度为0.5至5μm和开口部最长径为20至80μm，当在电子照相感光构件表面的任意位置中配置500μm×500μm正方形区域时，500μm×500μm正方形区域中的凹部的面积为10000至90000μm²，除凹部以外的部分中包含的平坦部的面积为80000至240000μm²。

此外，本发明为包括支承体和在支承体上形成的感光层的电子照相感光构件，其中至少与清洁构件的接触区域包括多个凹部和除凹部以外的部分，各凹部具有深度为0.5至5μm和开口部最长径为20至80μm，当在与清洁构件的接触区域的任意位置中配置500μm×500μm正方形区域时，500μm×500μm正方形区域中的凹部的面积为10000至90000μm²，除凹部以外的部分中包含的平坦部的面积为80000至240000μm²。

此外，本发明为可拆卸地安装至电子照相设备主体的处理盒，其包括电子照相感光构件，以及具有与电子照相感光构件接触配置的清洁构件的清洁单元。

此外，本发明为电子照相设备，其包括：电子照相感光构件、充电单元、曝光单元、显影单元、转印单元和具有与电子照相感光构件接触配置的清洁构件的清洁单元。

发明的效果