[发明专利]用于在BOSCH蚀刻工艺后实现平滑的侧壁的方法

权利要求书

1.一种在等离子体处理室中蚀刻硅的方法，所述方法包括：

在第一压强和第一偏压下操作所述等离子体处理室以在所述硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;

在第二压强和第二偏压下操作所述等离子体处理室来在所述侧壁上执行保护层的沉积;

在第三压强和第三偏压下操作所述等离子体处理室以执行第二垂直蚀刻来将所述孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；以及

在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小；

其中所述第四偏压足以诱导离子轰击以使所述峰缩小。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括用在15到100毫托的范围内的操作压强操作所述等离子体处理室。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在处于200到1000V的范围内的工作偏压下操作所述等离子体处理室。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以执行所述第三蚀刻30-180秒。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以用NF₃、CF₄、SF₆和它们的组合中的一种执行所述第三蚀刻。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以用NF₃、CF₄、SF₆和它们的组合中的一种执行所述第三蚀刻。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以执行所述第三蚀刻30-180秒。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以用NF₃、CF₄、SF₆和它们的组合中的一种执行所述第三蚀刻。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以用NF₃、CF₄、SF₆和它们的组合中的一种执行所述第三蚀刻。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在处于200到1000V的范围内的工作偏压下操作所述等离子体处理室。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以执行所述第三蚀刻30-180秒。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小包括在所述第四压强和所述第四偏压下操作所述等离子体处理室以用NF₃、CF₄、SF₆和它们的组合中的一种执行所述第三蚀刻。