[发明专利]用于设计有机光电检测器元件或光电发射器元件的阵列的改进方法

说明书

技术领域

本申请涉及光电检测或光电发射元件的矩阵微电子器件领域，并且特别地，涉及由被动光电检测或光电发射元件形成的那些器件。

本申请提供一种用于设计光电检测或光电发射元件的矩阵器件的改进方法，以及根据这种方法实现的矩阵器件。

本发明特别适用于制造基于有机半导体材料的光电检测或光电发射元件的矩阵。

背景技术

在由光电检测元件的矩阵形成的图像传感器中，由每个光电检测元件保存的信息通常为电流或电压的形式。

当矩阵包括没有集成位于像素自身处的处理资源的像素或光电检测或光电发射元件时，这些像素通常称为“被动”像素。

目前，在硅上制造的图像传感器如电荷耦合传感器或CCD（电荷耦合器件）或CMOS技术传感器由主动像素形成，其中，该主动像素是除了检测功能之外还本地地集成信号处理装置例如用于提供预充电功能和/或放大功能或多路复用功能的装置的像素。

主动像素使传感器的图像质量和读取速度的改进能够实现。

由于制造工艺的实现顾虑原因，基于由至少一种有机半导体材料形成的有机光电检测器的图像传感器因而当前由被动元件或像素形成。

当光电二极管矩阵的光电二极管被光照时，该光电二极管处于低阻抗，并且创建寄生电流路径，该寄生电流路径可以导致防止执行由每个像素作为电流或电压保存的信息的读取。

在给出包括两行和两列光电二极管11₁、11₂、11₃、11₄的光电检测器的矩阵部分的等效电子电路的图1的器件上示出这种现象的一个示例。

在该示例中，矩阵的光电二极管为反向偏置的，因而期望被读取电流的给定二极管11₃具有例如设置为+1伏特的阴极15₀，然而该二极管的阳极17₀例如偏置为0伏特。

在该图中表示出了互连的电阻器13、偏置电极15₀、15₁、17₀、17₁以及路径C_a和路径C_p，其中，意图由光电二极管11₃产生路径C_a的电流并且路径C_p的寄生电流经过邻近的或相邻的网格传递到到期望被读取的像素的网格。

为了解决该寄生导通电路的问题并且允许像素的改进的读取，一个方法在于在矩阵像素之间引入附加二极管。

例如在文献US3855582和Vilkomerson等人在1969年12月于IEEE固态电路杂志vol.sc-4，n°6的“文字组成的图片检测器区域（a Word-organised photo detector area）”中介绍了这种方法。

然而，这种解决方案几乎不应用于基于有机半导体光电检测器的矩阵，具体而言由于制造工艺的复杂性并且具体而言由于像素之间的附加二极管的实现复杂性的原因。

同样由于实现顾虑的原因，对于前述问题的其它需要在相同的基板上集成晶体管和光电检测器的解决方案也几乎不可用于基于有机半导体光电检测器的矩阵。

发明内容

首先，本发明涉及一种用于制造包括光电检测或光电发射元件或像素的矩阵的矩阵器件的方法，该方法包括：

a）用于从所述矩阵器件的至少一个给定拓扑（通常称为“布局”）识别一个或多个电气导通闭合电路特别是寄生导通电路的设计步骤，

b）用于选择至少一个所识别所述导通闭合电路所属的矩阵器件的一个或多个给定光电检测或光电发射元件的设计步骤，然后，矩阵的在步骤b）中所选择的至少一个所述元件被去激活或者被识别为意图被去激活。

该设计方法包括至少一个或多个由计算机辅助的或使用数据处理装置执行的设计步骤。

设计步骤a）和b）可以具体而言是由计算机辅助的或使用数据处理装置执行的。

该方法还可以包括至少一个用于产生所述矩阵器件的新的拓扑的设计步骤，其中，在步骤（b）中所选择的所述至少一个元件被去激活或者被识别为意图被去激活。

该制造方法可以包括在步骤a）中：

从所述给定拓扑，实现由与矩阵的所述元件对应的角点和与矩阵中的所述角点的连接对应的链路形成的至少一个图形，

在所述图形中识别一个或多个给定循环。

然后可以通过选择所述图形的至少一个所述循环所属的至少一个给定角点来执行步骤b）。