[发明专利]提高多晶金刚石（PCD）的热稳定性的方法

权利要求书

1.一种制备多晶金刚石的方法，所述多晶金刚石在烧结的金刚石颗粒之间的孔隙空间中具有热稳定相，所述方法包括：

用粘结剂掠过金刚石粉末以形成烧结的PCD；

使所述熔化的粘结剂与将所述粘结剂和所述金刚石与硅（Si）源分开的临时阻挡层反应；和

用所述Si源掠过所述烧结的PCD以形成SiC结合的PCD。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述熔化的粘结剂包含如下的金属，所述金属选自Co、Ni、Fe和其组合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述临时阻挡层包含如下的难熔金属，所述难熔金属选自钽、钼、铌、钛、锆、钨、钒、铬和其组合。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述临时阻挡层是箔。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述硅源是硅或含硅材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含硅材料选自CrSi₂、TiSi₂、VSi₂和WSi₂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述临时阻挡层被插入所述Si源和所述金刚石粉末之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述临时阻挡层被插入所述粘结剂和所述Si源之间。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括，在所述的掠过所述金刚石粉末之前，

用以下材料装填钽杯：

包含Si源的第一层；

包含临时阻挡层的第二层；

包含金刚石粉末的第三层；和

包含粘结剂的第四层；并且

在高压高温（HPHT）条件下加热所述钽杯。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述粘结剂是

Fe、Co、Ni或其组合的粉末；

Fe、Co、Ni或其组合的片；或者

用Fe、Co、Ni或其组合浸渍的碳化钨片。

粉末，

用以下材料装填钽杯：

包含金刚石粉末的第一层；

包含粘结剂的第二层；

包含临时阻挡层的第三层；和

包含Si源的第四层；并且

在HPHT条件下加热所述钽杯。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述粘结剂是

Fe、Co、Ni或其组合的粉末；

Fe、Co、Ni或其组合的片；或者

用Fe、Co、Ni或其组合浸渍的碳化钨片。

13.根据权利要求1所述的方法制成的钻削切割器。

14.一种制备多晶金刚石的方法，所述多晶金刚石在金刚石颗粒之间的孔隙空间中具有热稳定相，所述方法包括：

用粘结剂掠过金刚石粉末以形成烧结的PCD；

使所述粘结剂与将所述粘结剂和所述金刚石与硅（Si）源分开的临时阻挡层反应；和

用所述Si源掠过所述烧结的PCD以形成SiC结合的PCD。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述粘结剂包括固体片。

碳化物基底。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述金刚石粉末与所述粘结剂相邻地放置。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述临时阻挡层放置在所述金刚石粉末和所述硅（Si）源之间。

19.根据权利要求14所述的方法，其中所述粘结剂沿着与随后所述硅（Si）源掠过的方向相同的方向掠过。

20.根据权利要求14所述的方法，其中所述粘结剂沿着与随后所述硅（Si）源掠过的方向相反的方向掠过。

21.根据权利要求14所述的方法，其中所述粘结剂沿着与随后所述硅（Si）源掠过的方向呈一定角度的方向掠过。

22.根据权利要求14所述的方法，其中所述粘结剂在所述硅（Si）源掠过之前掠过并烧结所述金刚石粉末的一部分。