[发明专利]通过在不同频率和功率水平分析复反射反向散射来检测加载UHFRFID标签的材料的性质有效
| 申请号: | 201280013843.4 | 申请日: | 2012-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN103430193B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
| 发明(设计)人: | I·J·福斯特 | 申请(专利权)人: | 艾利丹尼森公司 |
| 主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通过 不同 频率 功率 水平 分析 反射 反向 散射 检测 加载 uhf rfid 标签 材料 性质 | ||
1.RFID装置,包括:
微芯片;
可操作地连接于所述微芯片的天线,所述天线具有线性部分和阻抗变换部分,所述阻抗变换部分可操作地连接于所述微芯片和所述天线,其中所述阻抗变换部分包括导体材料环,所述导体材料环具有一对连接点,用以通过电磁场连接所述微芯片;
其中,改变所述RFID装置的至少一个组件的阻抗在阅读器装置处导致复反射信号,其代表接近所述RFID装置的被检测的材料的检测状态。
2.权利要求1所述的RFID装置,其中所述装置以特高频率运行。
3.权利要求1所述的RFID装置,其中所述装置在902-928MHz带中运行。
4.权利要求1-3任一项所述的RFID装置,其中所述RFID装置的组件的所述阻抗包括复阻抗。
5.权利要求1所述的RFID装置,其中所述被检测的材料包括施加于所述线性部分的分析物,并且改变的阻抗包括所述线性部分的阻抗。
6.权利要求1所述的RFID装置,其中所述被检测的材料是施加于所述阻抗变换部分的分析物,并且改变的阻抗包括所述阻抗变换部分的阻抗。
7.权利要求1所述的RFID装置,其中所述被检测的材料是施加于所述线性部分和所述阻抗变换部分两者的分析物,并且改变的阻抗包括所述线性部分的阻抗和所述阻抗变换部分的阻抗。
8.权利要求1所述的RFID装置,其中所述复反射信号包括幅度调制和相位调制的组合。
9.权利要求1所述的RFID装置,其中所述导体材料包括铜、铝和银中的任意一种。
10.权利要求1所述的RFID装置,其中所述天线的所述线性部分包括偶极子天线。
11.权利要求1所述的RFID装置,其中所述被检测的材料具有复介电常数,其响应环境因子而变化。
12.权利要求1所述的RFID装置,其中所述RFID装置附着于所述被检测的材料。
13.权利要求1所述的RFID装置,其中所述被检测的材料被施加于所述线性部分的特定区域。
14.权利要求1所述的RFID装置,其中所述被检测的材料被施加于所述线性部分的特定区域和所述阻抗变换部分。
15.权利要求1所述的RFID装置,其中第一种所述被检测的检测材料被施加于所述线性部分并且第二种所述被检测的材料被施加于所述阻抗变换部分。
16.RFID装置,包括:
微芯片;
组合结构,其可操作地连接于所述微芯片并包括天线部分和导体环,其中所述导体环包括至少一个连接点,用于通过电场连接所述微芯片与所述组合结构,使得所述导体环起阻抗变换部分的作用;
其中,加入到所述组合结构的环境敏感材料响应来自RFID阅读器的信号引起所述组合结构的阻抗的变化,导致在所述RFID阅读器处接收的复反射信号,其代表所述材料的检测状态。
17.权利要求16所述的RFID装置,其中所述导体环包括铜、铝和银中的任意一种。
18.权利要求16所述的RFID装置,其中所述天线部分包括偶极子天线。
19.权利要求16所述的RFID装置,其中所述RFID装置以902-928MHz之间的特高频率运行。
20.权利要求16所述的RFID装置,其中所述环境敏感材料包括分析物。
21.权利要求16所述的RFID装置,其中所述环境敏感材料包括一定浓度的干扰物。
22.权利要求16所述的RFID装置,其中所述环境敏感材料被施加于所述天线部分。
23.权利要求16所述的RFID装置,其中所述环境敏感材料被施加于所述导体环。
24.权利要求16所述的RFID装置,其中所述环境敏感材料被施加于所述导体环和所述天线部分。
25.权利要求16所述的RFID装置,其中所述天线部分和所述导体环由不同的环境敏感材料覆盖。
26.权利要求16所述的RFID装置,其中所述组合结构的所述阻抗的变化通过改变由所述阅读器传输的入射射频功率和测量反射信号的幅度调制和相位调制进行控制。
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