[发明专利]平面显示器用玻璃基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280002211.8 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN103080031A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 小山昭浩;阿美谕;市川学 申请(专利权)人: 安瀚视特控股株式会社
主分类号: C03C3/091 分类号: C03C3/091;C03C3/093;G02F1/1333
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;褚瑶杨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 平面 显示 器用 玻璃 及其 制造 方法
【说明书】:

【技术领域】

本发明涉及一种平面显示器用玻璃基板、尤其是涉及一种多晶硅薄膜(以下记为p-Si)平面显示器用玻璃基板及其制造方法。更详细地说,本发明涉及一种于基板表面形成p-Si而制造的平面显示器中所使用的玻璃基板及其制造方法。更具体地说,本发明涉及一种多晶硅薄膜晶体管(以下记为p-Si·TFT)平面显示器用玻璃基板及其制造方法。进一步详细而言,本发明涉及一种于基板表面形成p-Si·TFT而制造的平面显示器中所使用的玻璃基板及其制造方法。进一步具体而言,本发明涉及一种p-Si·TFT平面显示器为液晶显示器的p-Si·TFT平面显示器用玻璃基板及其制造方法。或者,本发明涉及一种有机EL(Electro Luminescence,电致发光)显示器用玻璃基板及其制造方法。或者,本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管平面显示器用玻璃基板。进一步详细而言,本发明涉及一种于基板表面形成氧化物半导体薄膜晶体管而制造的平面显示器中所使用的玻璃基板及其制造方法。

【背景技术】

对于搭载于便携装置等小型机器上的显示器,出于可降低消耗电力等理由,而于薄膜晶体管(TFT)的制造时使用p-Si(多晶硅)。当前,于p-Si·TFT平面显示器的制造时必需进行400~600℃的相对高温下的热处理。作为p-Si·TFT平面显示器制造用的玻璃基板,使用耐热性较高的玻璃。然而,已知先前的a-Si(非晶硅)·TFT平面显示器所使用的玻璃基板的应变点未充分高,由于p-Si·TFT平面显示器的制造时的热处理而产生较大的热收缩,引起像素的间距偏移的问题。

近年来,小型机器的显示器日益要求高精细化。因此,期待极力抑制像素的间距偏移,而抑制作为像素的间距偏移的原因的显示器制造时的玻璃基板的热收缩成为了课题。

玻璃基板的热收缩通常可通过提高玻璃基板的应变点或Tg(玻璃转移点)所代表的低温黏性范围中的特性温度(以下记为低温黏性特性温度)来抑制。作为应变点较高的玻璃,例如,于专利文献1中公开有应变点为680℃以上的无碱玻璃。

[专利文献]日本专利特开2010-6649号公报

【发明内容】

[发明要解决的问题]

为了提高玻璃基板的应变点或Tg(玻璃转移点)所代表的低温黏性特性温度,通常,必需增加玻璃中的SiO2或Al2O3的含量(以下,于本说明书中,作为“低温黏性特性温度”,以“应变点”为代表而记载)。于专利文献1中记载的玻璃含有58~75质量%SiO2、15~19质量%Al2O3(参照权利要求1)。其结果是存在熔融玻璃的比电阻上升的倾向。近年来,为了有效率地使玻璃熔解而多使用直接通电加热。于直接通电加热的情况下,若熔融玻璃的比电阻上升,则有时电流于构成熔解槽的耐火物中流动而并非在熔融玻璃中流动。,由本发明者等人的研究的结果可知:结果导致有发生熔解槽熔损的问题的情况。

然而,于上述专利文献1中记载的发明中,未考虑到熔融玻璃的比电阻。因此,于经由利用直接通电加热的熔融而制造专利文献1中记载的玻璃的情况下,非常担心发生上述熔解槽熔损的问题。

进而,期望进一步提高玻璃的低温黏性特性温度,即,提供具有更高的应变点或Tg的玻璃及玻璃基板,且有越来越强烈担心发生上述熔解槽熔损的问题的倾向。

因此,本发明的目的在于提供一种由玻璃构成的平面显示器用玻璃基板,尤其是p-Si·TFT平面显示器用玻璃基板及其制造方法,所述玻璃应变点高、可抑制显示器制造时的玻璃基板的热收缩、且于利用直接通电加热的熔解制造时可避免熔解槽熔损的问题发生。

[解决问题的技术手段]

本发明如下所述。

[1]一种p-Si·TFT平面显示器用玻璃基板(本发明的第1方式的玻璃基板。以下,在记为本发明的玻璃基板的情况下,意指本发明的第1方式的玻璃基板),其由下述玻璃构成,所述玻璃含有

52~78质量%SiO2

3~25质量%Al2O3

3~15质量%B2O3

3~25质量%RO(其中,RO为MgO、CaO、SrO及BaO的总量)、

0.01~1质量%Fe2O3

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安瀚视特控股株式会社,未经安瀚视特控股株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280002211.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top