[实用新型]X光管有效

专利信息
申请号: 201220748145.6 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN203165848U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 柳鹏;杜秉初;周段亮;张春海;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J35/06 分类号: H01J35/06
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摘要:
搜索关键词: X光管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种X光管。 

背景技术

传统的X光管包括阴极和阳极组件,该阴极和阳极组件均位于真空管内。所述阴极可以是热电子发射,还可以是冷电子发射,该冷电子发射也称场致电子发射。随着碳纳米管的不断发展,基于碳纳米管的场致电子发射,近年来越来越受到重视。 

传统的基于碳纳米管的场发射阴极装置的制备方法通常包括以下步骤:提供一基底;在基底上形成多个阴极电极;将碳纳米管通过化学气相沉积法设置在阴极电极上形成电子发射体。 

然而,以上述方法制备的场发射阴极装置中,电子发射体中的碳纳米管与阴极电极的结合力不够强。而应用于X光管的场发射阴极装置的应用电压高,使得碳纳米管在发射电子时容易被强电场拔出,导致所述场发射阴极装置的结构不稳定,从而限制了该X光管中场发射阴极装置的电子发射能力和寿命,进一步影响了X光管的使用寿命和稳定性。 

实用新型内容

有鉴于此,确有必要提供一种X光管,该X光管具有较高的使用寿命和稳定性。 

一种X光管,包括一腔体、一场发射阴极装置和一阳极,所述腔体内部形成真空,所述场发射阴极装置射出的电子束射到阳极上形成X射线,所述场发射阴极装置和阳极间隔设置在所述腔体的内部,所述场发射阴极装置包括至少一场发射结构,每一场发射结构包括一第一金属板、一层状电子发射体及一第二金属板,所述层状电子发射体固定于所述第一金属板与所述第二金属板之间,该层状电子发射体的一端延伸出第一金属板和第二金属板,作 为电子发射端。 

优选的,所述层状电子发射体延伸出第一金属板和第二金属板的长度为5微米至1毫米。 

优选的,所述层状电子发射体向着所述阳极延伸。 

优选的,所述第一金属板与所述第二金属板相互平行且间隔设置,所述层状电子发射体通过一粘结层分别与第一金属板和第二金属板固定设置。 

优选的,多个所述场发射结构间隔设置。 

优选的,所述层状电子发射体的厚度为10微米至1毫米。 

优选的,所述层状电子发射体为一连续的层状碳纳米管结构。 

优选的,所述层状电子发射体包括多个平行设置的碳纳米管线,该碳纳米管线由多个碳纳米管组成,每个碳纳米管线的一端延伸出第一金属板和第二金属板,作为层状电子发射体的电子发射端。 

优选的,所述第一金属板与所述第二金属板远离所述电子发射端的一端通过焊接固定。 

一种X光管,包括一腔体、一场发射阴极装置和一阳极,所述腔体内部形成真空,所述场发射阴极装置射出的电子束射到阳极上形成X射线,所述场发射阴极装置和阳极间隔设置在所述腔体的内部,所述场发射阴极装置包括多个金属板和多个层状电子发射体交替层叠设置,每个层状电子发射体固定设置于相邻的两个金属板之间,每个层状电子发射体的一端延伸出所述金属板,作为电子发射端。 

一种X光管,包括一腔体、一场发射阴极装置和一阳极,所述腔体内部形成真空,所述场发射阴极装置射出的电子束射到阳极上形成X射线,所述场发射阴极装置和阳极间隔设置在所述腔体的内部,所述场发射阴极装置包括一碳纳米管电子发射体以及两个固定元件,该碳纳米管电子发射体的一端延伸出所述两个固定元件,作为电子发射端,该碳纳米管电子发射体的其余部分与所述两个固定元件贴合,并被所述两个固定元件夹持固定于所述腔体。 

与现有技术相比,由于本实用新型提供的X光管中的场发射阴极装置中的电子发射体利用两个金属板夹持,可以承受较大的电场力而不会被电场力拔出,提高了电子发射体的电子发射能力,进一步提高了X光管结构的稳定 性和使用寿命。另外,由于金属板具有良好的导热能力,可将场发射中产生的热量快速的传导散发出去,因此可以有效防止电子发射体的破坏,进一步提高X光管的使用寿命。 

附图说明

图1为本实用新型第一实施例提供的X光管的结构示意图。 

图2A为本实用新型第一实施例提供的X光管中场发射阴极装置的结构示意图。 

图2B为本实用新型第一实施例提供的X光管中场发射阴极装置的另一结构示意图。 

图3为本实用新型第一实施例提供的X光管中场发射阴极装置中电子发射体的结构示意图。 

图4为本实用新型第一实施例提供的X光管中场发射阴极装置中电子发射体的另一结构示意图。 

图5为图3或图4中电子发射体所使用的碳纳米管线结构的结构示意图。 

图6为图3或图4中电子发射体所使用的碳纳米管线结构的另一结构示意图。 

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