[实用新型]背光LED光源装置有效
申请号: | 201220678542.0 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN203036389U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 张志才 | 申请(专利权)人: | 张志才 |
主分类号: | F21S8/00 | 分类号: | F21S8/00;F21V19/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 深圳冠华专利事务所(普通合伙) 44267 | 代理人: | 刘新华 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背光 led 光源 装置 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及LED照明领域,尤其涉及单颗LED芯片组装而成的光源装置。
【背景技术】
随着LED产业不断发展,LED以其耗能少、光效好、使用寿命长等优势逐渐取代传统照明光源成为发展主流趋势,LED单颗芯片有集体封装在整块的铝基板上,也有些产品是单颗封装在独立的灯座内,但是封装在灯座内,由于灯座结构限制发光亮度受到影响,出光效率不够高,会导致整体的发出光线不够明亮。
另外在每个灯座上都设有锡焊脚,用来将单颗封装在灯座内的LED灯珠进行固定,在传统的灯座上锡焊脚设置在灯座上部,在锡焊时需要延伸到基板上锡焊,其稳固性不高,容易脱焊。
【发明内容】
本实用新型针对以上问题提出了一种光线反射更全面,发光亮度更高的背光LED光源装置,该背光LED光源装置固定更稳定、可靠。
本实用新型的技术方案是:一种背光LED光源装置,包括LED灯座、锡焊脚和LED灯珠,其特征在于,所述LED灯座顶面具有一个敞口孔,该敞口孔具有一个底面和开口,在底面和开口之间具有内壁,该底面面积小于开口面积,所述LED灯珠设置在敞口孔的底面,在LED灯座下部设有锡焊脚。
所述内壁为漫反射斜面,其表面由多道棱面拼接组成。
所述底面与开口之间的内壁包括四道侧面,分别是沿着宽度方向的第一侧面和第三侧面,沿着长度方向的第二侧面与第四侧面,第一剖面截得第一侧面第三侧面呈的斜线,斜度大于第二剖面截得第二侧面第四侧面呈的斜线斜度。
本实用新型的有益效果:该背光LED高度变小,适合轻薄显示屏设计使用,将锡焊脚设计在LED灯座下部,在锡焊过程中,锡焊脚的位置更加接近底边,焊接方便而稳固、可靠;另外对放置LED灯珠的敞开口的设计,提高了LED灯座本身的聚光效果、增加了发光能效,提高了其光学性能和改善发光效果。
【附图说明】
图1是本实用新型背光LDE光源装置结构示意图;
图2是本实用新型背光LED光源装置俯视图。
其中:10、背光LED光源装置;11、LED灯座;12、敞口孔;121、底面;122、开口;123、第一侧面;124、第二侧面;125、第三侧面;126、第四侧面;127、第一剖面;128、第二剖面;13、锡焊脚。
【具体实施方式】
下面将结合附图及实施例对本实用新型背光LED光源装置结构进行详细说明。
请参考图1:示出了一种背光LED光源装置10,包括LED灯座11、锡焊脚13和LED灯珠14,其特征在于,所述LED灯座11顶面具有一个敞口孔12,该敞口孔具有一个底面121和开口122,在底面121和开口122之间具有内壁,该底面121面积小于开口122面积,所述LED灯珠(未示出)设置在敞口孔12的底面,在LED灯座11下部设有锡焊脚13。
在该LED灯座11的设计中,加大了敞口孔的空间,在增大敞口孔底面面积的同时,加大比例地扩大了开口的大小,这样内壁的斜角角度变大,聚光反光的性能进一步强化,且所述内壁为漫反射斜面,其表面由多道棱面拼接组成,沿着从开口到底面的方向分布多道微小弧度差异的棱面,可以对各个光路方向的光线进行反射、聚集和漫射,光学性能提高、发光效果更好。
所述底面121与开口122之间的内壁包括四道侧面,分别是沿着宽度方向的第一侧面123和第三侧面125,沿着长度方向的第二侧面124与第四侧面126,第一剖面127截得第一侧面123和第三侧面125呈的斜线,斜度大于第二剖面128截得第二侧面124和第四侧面126呈的斜线斜度。
且LED灯座11的高度涉及由原来的1.2mm,现缩小为1.0mm更加适合轻薄显示屏,同时将锡焊脚13设计到LED灯座11下部,这样在锡焊过程中,锡焊脚的位置更加接近要锡焊的底板,焊接方便而稳固。
以上所述,仅是本实用新型较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许变更或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型技术是指对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均属于本实用新型技术方案的范围内。
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