[实用新型]一种智能过零投切的可控硅复合开关

权利要求书

1.一种智能过零投切的可控硅复合开关，包括控制电路（1）和可控硅复合开关（2），其特征在于：

a、所述可控硅复合开关（2）包括双向可控硅SCR、第一电磁开关K1、第二电磁开关K2和电阻R，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，第二电磁开关K2的常开触点K2-1与电阻R串联；由第二电磁开关K2的常开触点K2-1与电阻R构成的串联电路的两端并联在第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端；

b、所述控制电路（1）包括CPU处理电路（1-1）、可控硅驱动电路（1-2）、第一电磁开关驱动电路（1-3）、第二电磁开关驱动电路（1-4）和投切信号电路（1-5）可控硅驱动电路（1-2）的输入端、第一电磁开关驱动电路（1-3）的输入端和第二电磁开关驱动电路（1-4）的输入端分别与CPU处理电路（1-1）相应的输出端电连接，可控硅驱动电路（1-2）的输出端与双向可控硅SCR的控制端G电连接，第一电磁开关驱动电路（1-3）的两个输出端分别与第一电磁开关K1的线圈KA1的两端电连接，第二电磁开关驱动电路（1-4）的两个输出端分别与第二电磁开关K2的线圈KA2的两端电连接，投切信号电路（1-5）的输出端与CPU处理电路（1-1）的输入端电连接。

2.根据权利要求1所述的智能过零投切的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

3.根据权利要求2所述的智能过零投切的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关驱动电路（1-3）包括电阻R6、三极管Q3、二极管D2、第一电源端子L、N和第一继电器J1，所述电阻R6的一端与CPU处理电路（1-1）的输出端电连接，电阻R6的另一端与三极管Q3的基极电连接，三极管Q3的集电极分别与二极管D2的正极以及第一继电器J1的线圈的一端电连接，三极管Q3的发射极接地，二极管D2的负极以及第一继电器J1的线圈的另一端同时接电源正极，第一继电器J1的常开触点J1-1的一端与第一电源端子L电连接，第一继电器J1的常开触点J1-1的另一端和第一电源端子N分别与第一电磁开关K1的线圈KA1的两端电连接；第二电磁开关驱动电路（1-4）包括电阻R7、三极管Q4、二极管D5、第二电源端子L、N和第二继电器J2，所述电阻R7的一端与CPU处理电路（1-1）的输出端电连接，电阻R7的另一端与三极管Q4的基极电连接，三极管Q4的集电极分别与二极管D5的正极以及第二继电器J2的线圈的一端电连接，三极管Q4的发射极接地，二极管D5的负极以及第二继电器J2的线圈的另一端同时接电源正极，第二继电器J2的常开触点J2-1的一端与第二电源端子L电连接，第二继电器J2的常开触点J2-1的另一端和第二电源端子N分别与第二电磁开关K2的线圈KA2的两端电连接。

4.根据权利要求1所述的智能过零投切的可控硅复合开关，其特征在于：所述可控硅驱动电路（1-2）包括电阻R1、R2、R3、R4、三极管Q1和过零触发双硅输出光耦器U0，电阻R1的一端与CPU处理电路（1-1）的输出端电连接，电阻R1的另一端与三极管Q1的基极电连接，三极管Q1的集电极与过零触发双硅输出光耦器U0的第一输入端电连接，三极管Q1的发射极接地，过零触发双硅输出光耦器U0的第二输入端通过电阻R2接电源，过零触发双硅输出光耦器U0的第一输出端通过电阻R3与双向可控硅SCR的第一主端子T1电连接，过零触发双硅输出光耦器U0的第二输出端通过电阻R4与双向可控硅SCR的第二主端子T2电连接，过零触发双硅输出光耦器U0的第二输出端还与双向可控硅SCR的控制端G电连接。