[实用新型]一种集成式薄膜温度热流复合传感器

权利要求书

1.一种集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，它（1）包括基片（2），设于基片（2）上的过渡层（3），设于过渡层（3）上的薄膜热电偶阵列；所述薄膜热电偶阵列由一个独立的薄膜热电偶（10）和通过外接点（11）串联的两个以上薄膜热电偶（10）组成，所述薄膜热电偶（10）包括A电极（4）和B电极（5）；所述A电极（4）和B电极（5）的接点上设有厚热障层（6）；所述薄膜热电偶阵列中的外接点（11）上和独立薄膜热电偶（10）的自由端电极上设有薄热障层（7）；所述独立薄膜热电偶（10）的两个电极分别经一个A焊盘（12）与各自对应的A补偿导线（13）连接，所述两个以上串联的薄膜热电偶（10）的两个外接端分别经一个B焊盘（9）与各自对应的B补偿导线（8）连接。

2.如权利要求1所述的集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，所述基片（2）直径为50mm～150mm，厚度0.5mm～1mm；所述过渡层（3）厚度为0.05μm～0.1μm；所述薄膜热电偶（10）的厚度为0.2μm～0.5μm；所述厚热障层（6）厚度为3μm～10μm，所述薄热障层（7）厚度为0.5μm～1μm。

3.如权利要求1所述的集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，所述薄膜热电偶（10）为R型热电偶、B型热电偶或S型热电偶。

4.如权利要求3所述的集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，所述薄膜热电偶（10）为R型热电偶。

5.如权利要求1所述的集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，所述基片（2）材料为Al₂O₃陶瓷；所述过渡层（3）材料为Ta₂O₅。

6.如权利要求1所述的集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，所述厚热障层（6）的材料为Al₂O₃或AlN。

7.如权利要求1所述的集成式薄膜温度热流复合传感器，其特征在于，所述薄热障层（7）的材料为SiO₂。