[实用新型]一种改进排气口的单晶炉有效

专利信息
申请号: 201220550327.2 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN202898603U 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 李广哲;赵聚来;陶建涛;李杰涛;吴双华;焦鹏 申请(专利权)人: 宁晋晶兴电子材料有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 石家庄汇科专利商标事务所 13115 代理人: 刘闻铎
地址: 055550 河北省邢台*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进 气口 单晶炉
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种单晶炉,特别是一种改进排气口的单晶炉。

背景技术

目前大多数单晶炉热系统设计都专注于改善晶体生长速度和单晶棒的质量,然而对于太阳能级单晶硅来说,最重要的通过改变热场结构和晶体生长环境来改变单晶寿命,提高单晶合格率。太阳能级单晶提高单晶合格率,通常有三种方法:一是通过改变热场结构来改变单晶参数;二是通过改变晶体生长环境来提高单晶寿命; 三是通过工艺改进改善单晶参数。三种方法互相制约、相辅相成缺一不可。对于光伏产业要实现高产量、高品质、低成本,必须在改进热系统提高单晶品质上下功夫。如:①改变单晶炉气场对流循环方向和废气排出高度,减少废气孔堵塞的几率,提高单晶寿命;②、阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底,减少事故造成的经济损失,节约生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种减少废气孔堵塞的几率,提高单晶寿命,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底的改进排气口的单晶炉。

为了完成上述目的,本实用新型采用的技术方案是:

一种改进排气口的单晶炉,包括炉体和位于炉体下部的排气管,其特征在于:所述的排气管整体为L形的异型管,所述的排气管包括设置在炉体内 的集气端和炉体外的排气端,所述的集气端的开口在炉体内竖直向上设置。

所述的集气端的在侧壁靠近开口的上部设有集气孔。

所述的集气端为方形管壁圆形内径。

本实用新型的有益效果是:采用整体为L形的异型管做排气管,排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置,可以减少废气孔堵塞的几率,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是图1中排气管的结构示意图。

图3是图2的剖视图。

图4是图3的俯视图。

图中,1、炉体,2、排气管,3、集气端,4、排气端,5、集气孔。

具体实施方式

本实用新型为一种改进排气口的单晶炉,采用整体为L形的异型管做排气管,排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置,可以减少废气孔堵塞的几率,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底。

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

具体实施例,如图1至图4所示,一种改进排气口的单晶炉,包括炉体1和炉体1下部的排气管2,排气管2整体为L形的异型管,排气管2包括设置在炉体1内的集气端3和炉体1外的排气端4,集气端3的开口在炉体1内竖直向上设置,集气端3的在侧壁靠近开口的上部设有集气孔5,集气端3为方形管壁圆形内径。由于采用整体为L形的异型管做排气管,排气管的集气端开口在炉体内竖直向上设置,可以减少废气孔堵塞的几率,阻止漏硅时高温熔硅直接流入不锈钢管道,有效保护不锈钢炉底。

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