[实用新型]电子部件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子部件，特别是涉及内置电容器的电子部件。

背景技术

作为现有的电子部件，众所周知有例如专利文献1所记载的芯片型电子部件。图22是专利文献1所记载的芯片型电子部件500的剖面结构图。

如图22所示，芯片型电子部件500具备层叠体502、外部电极504a、外部电极504b、加强层506以及电容器C。层叠体502以层叠多个陶瓷层的方式构成，并形成为长方体状。外部电极504a、504b分别以覆盖层叠体502的相互对置的端面的方式设置，并折回到上表面、下表面以及侧面。

电容器C内置于层叠体502内，多个电容器导体层以与陶瓷层交互层叠的方式构成。加强层506内置于层叠体502，设置于比电容器C靠层叠方向的上侧以及下侧。当从层叠方向俯视观察时，加强层506与外部电极504a、504b的端部重叠。

在以上述方式构成的芯片型电子部件500中，对弯曲、拉伸等机械应力的耐老化性高。更详细地说，在安装于电路基板之后，有时分割电路基板，此时，向芯片型电子部件施加弯曲应力，在外部电极504a和504b附近形成裂缝。然而，由于芯片型电子部件500设置有加强层506，因此即使在外部电极504a、504b附近形成有裂缝，利用加强层506也能抑制裂缝的扩展。即，芯片型电子部件500对弯曲、拉伸等机械应力的耐老化性提高。

然而，芯片型电子部件500仍旧有时在层叠体502形成裂缝，裂缝到达电容器导体层。因为在芯片型电子部件500中除了具有电容器电极之外还具有加强层506，因此电极个数增加而容易产生结构缺陷，因此需要较薄地形成加强层506以及电容器导体层的厚度。当以上述方式较薄地形成加强层506以及电容器导体层时，由于在加强层506以及电容器导体层形成较多的空孔(空孔)，因此裂缝以避开加强层506而通过空孔的方式延伸至电容器导体层附近为止。其结果是，水分通过裂缝而侵入电容器导体层，使作为电容器的可靠性降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-75780号公报

实用新型内容

因此，本实用新型的目的在于提供一种电子部件，该电子部件能够抑制裂缝越过伪导体层而到达电容器导体附近。

用于解决问题的方法

根据本实用新型的一个方式所涉及的电子部件，所述电子部件具备：长方体状的层叠体，其由层叠多个电介质层而成，并具有位于层叠方向的两端且相互对置的上表面和底面、相互对置的两个侧面、以及相互对置的两个端面；电容器导体层，其设置于所述电介质层上并构成电容器；外部电极，其覆盖所述端面，并且折回到所述上表面以及所述底面；以及伪导体层，其被设置在位于比设置有所述多个电容器导体的所述电介质层更靠近所述底面的位置的所述电介质层上，并且从层叠方向俯视观察时，该伪导体层与所述外部电极中的折回到所述底面的部分的末端重叠，所述伪导体层的厚度比所述电容器导体层的厚度大。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够抑制裂缝越过伪导体层而到达电容器导体附近。

附图说明

图1是一个实施方式所涉及的电子部件的外观立体图。

图2是图1的电子部件的层叠体的分解立体图。

图3是图1的电子部件的剖面结构图。

图4是比较例使用的电子部件的剖面结构图。

图5是示出解析结果的图表。

图6是第一变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图7是第二变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图8是第三变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图9是第四变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图10是第五变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图11是第六变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图12是第七变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图13是第八变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图14是第九变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图15是第九变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图16是第十变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图17是第十一变形例所涉及的电子部件的剖面结构图。

图18是第十二变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图19是第十三变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。

图20是第十四的变形例所涉及的电子部件的内部俯视图。