[实用新型]用于掩膜板的防尘保护装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种用于掩膜板的防尘保护装置。

背景技术

在半导体集成电路制造工艺中，光刻工艺是其中最为重要的步骤之一。光刻工艺的过程是经曝光系统将预制在掩模板上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光刻胶层上。经过显影工艺去除或保留曝光图案部位的光刻胶，以达到将预制在掩模板上的器件或电路图形在晶片表面或介质层上精确成型的目的。光刻工艺的好坏将直接影响半导体器件的特征尺寸和产品品质，其中，掩膜板是光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜板上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响。

如图1所示，图1为现有的用于掩膜板的防尘保护装置的剖面结构示意图，所述掩膜板115具有图案区域，用于掩膜板115的防尘保护装置包括：框架113和保护薄膜111，所述保护薄膜111被紧绷在所述框架113上，所述保护薄膜111需光学透明且结实，通常采用硝化纤维或者醋酸纤维素制成。所述框架113环绕掩膜板边沿，所述保护薄膜111和所述框架113限定的空间覆盖所述图案区域，以将所述图案区域密封，保护掩膜板115上的图案区域不受尘粒或其它形式的污染，并且沾在保护薄膜111上的污染物与图案区域表面保持足够远的距离，在成像时，污染物的像平面不落在晶片表面上，减小污染物对生产的影响。

然而，在实际生产中发现，由于保护薄膜111被紧绷在所述框架113上，在保护薄膜面上有张力的存在，对框架113产生作用力，并传递到掩膜板115上，掩膜板115会因此产生微小形变，导致图案区域偏离预定的位置，最终影响复制到晶片上的图案的效果。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于掩膜板的防尘保护装置，以解决保护薄膜产生的张力使掩膜板产生形变影响影响复制到晶片上的图案的效果的问题。

为解决上述问题，本实用新型提供一种用于掩膜板的防尘保护装置，所述掩膜板具有图案区域，所述用于掩膜板的防尘保护装置包括保护薄膜以及用于固定所述保护薄膜的框架，所述保护薄膜和所述框架限定的空间覆盖所述图案区域，所述框架包括多个首尾相连的边框，其中至少一个边框的宽度沿所述掩膜板的厚度方向变化。

可选的，所述边框为单层结构。

可选的，所述边框的宽度沿所述掩膜板的厚度方向均匀变化。

可选的，所述边框为多层结构。

可选的，所述边框为两层结构。

可选的，所述边框的两层结构包括：靠近所述掩膜板的第一层边框和靠近所述保护薄膜的第二层边框，所述第一层边框和第二层边框之间粘合连接。

可选的，所述第一层边框的宽度沿所述掩膜板的厚度方向均匀变化。

可选的，所述边框为三层结构。

可选的，

所述边框的三层结构包括：靠近所述掩膜板的第一层边框、靠近所述保护薄膜的第三层边框和位于第一层边框和第三层边框之间的第二层边框，所述第一层边框、第二层边框和第三层边框之间粘合连接。

可选的，所述第一层边框的宽度朝所述掩膜板的方向均匀变大。

可选的，所述第三层边框的宽度朝所述保护薄膜的方向均匀变大。

可选的，其特征在于，所述框架的多层结构是同种材质构成。

可选的，所述框架的多层结构是不同种材质构成。

与现有技术相比，本实用新型提供的用于掩膜板的防尘保护装置，由于其至少一个边框的宽度沿所述掩膜板的厚度方向变化，该边框易产生形变吸收部分保护薄膜的张力，使掩膜板受到的张力变小，从而减小或消除掩膜板的形变。更优选的，将边框设计成多层结构，可吸收更多的张力，进一步提高曝光效果。

附图说明

图1为现有的用于掩膜板的防尘保护装置剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例一的用于掩膜板的防尘保护装置的剖面示意图；

图3为本实用新型实施例二的用于掩膜板的防尘保护装置的剖面示意图；

图4为本实用新型实施例三的用于掩膜板的防尘保护装置的剖面示意图。

具体实施方式

本实用新型的核心思想在于，提供一种用于掩膜板的防尘保护装置，所述掩膜板具有图案区域，所述用于掩膜板的防尘保护装置包括保护薄膜以及用于固定所述保护薄膜的框架，所述保护薄膜和所述框架限定的空间覆盖所述图案区域，所述框架包括多个首尾相连的边框，其中至少一个边框的宽度沿所述掩膜板的厚度方向变化。由于这样的框架结构易产生形变，能够吸收所述保护薄膜产生的张力，从而能减小或消除掩膜板的形变，防止掩膜板形变对复制到晶片上的图案的效果产生影响。