[实用新型]一种连续式四氧化三钴制取装置有效

专利信息
申请号: 201220518689.3 申请日: 2012-10-09
公开(公告)号: CN202864938U 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 陆益展;沈恒冠;朱珠;蔡运和;戚洪亮 申请(专利权)人: 宁波科博特钴镍有限公司
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波
地址: 315475 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 连续 氧化 制取 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电池材料制备技术领域,更具体的说是涉及一种制备球形四氧化三钴的制取装置。 

背景技术

锂离子电池因其电压高、能量密度高、循环寿命长、环境污染小等优点备受青睐,近年来,随着小型可移动电池需求的进一步增长,为锂离子电池工业的发展创造了良好的机遇。 

锂离子电池行业的快速发展带动了其正极材料如:钴酸锂、镍钴锰酸锂等钴系正极材料的发展,因此对锂离子电池的钴系正极材料的需求也大幅增长。四氧化三钴是锂离子电池正极材料如:钴酸锂、镍钴酸锂、镍钴锰酸锂的原料,由于钴系正极材料的化学成分和物理性能的特殊要求,其原材料四氧化三钴的化学成分和物理性能对如钴酸锂等的正极材料的电化学性能影响极大,一般要求四氧化三钴为球形或类球形,且要求粒度分布均匀,且粒度分布在尽量窄的范围之内。 

目前制取四氧化三钴一般是在一个反应釜中进行,由于某一温度和转速一般可以制取特定粒度的四氧化三钴颗粒,因此将反应釜设置到合适的温度和转速,然后将原料通过进料口输入到反应釜中制取预定粒径的四氧化三钴,即四氧化三钴颗粒从形成到最终长大均是在一个反应釜中一次性完成。 

但是由于在某一特定的温度和特定的转速下,某些四氧化三钴可能生长的很快,而一些四氧化三钴的粒径增长的很慢,因此当反应结束之后某些颗粒已经超过预定粒径而另外一些却达不到粒度要求,因此这样生产出来的四氧化三钴的粒度分布不够均匀,合格率较低。 

因此,如何能够制取粒度均匀且粒径分布范围尽量窄的球形四氧化三钴是本领域技术人员亟需解决的技术问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种连续式四氧化三钴制取装置,以制取粒度均匀且粒径分布范围尽量窄的球形四氧化三钴。 

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种连续式四氧化三钴制取装置,所述连续式四氧化三钴制取装置包括多个由出料连接管串联在一起的反应釜,且在首端的反应釜上设置有进料口,末端反应釜上设置有出料口。 

优选的,所述进料口为设置于所述首端反应釜的盖板上且直接通到所述首端反应釜釜底的进料管,所述出料口设置于所述末端反应釜的釜体上。 

优选的,所述出料连接管的两端分别设置于前后两个反应釜的釜体上,且距离反应釜的釜口距离均为25-35cm。 

优选的,所述出料连接管的两端距离反应釜的釜口的距离为30cm。 

优选的,所述多个反应釜呈阶梯状设置,且所述反应釜由首端到末端依次降低。 

优选的,所述反应釜的盖板上还设置有排气管。 

优选的,所述反应釜的釜底还设置有底部出料口。 

由于本实用新型中的连续式四氧化三钴制取装置包括多个由出料管串联在一起的反应釜,因此可以将反应釜由首端到末端依次设置为不同的温度和搅拌速度,使四氧化三钴在多个反应釜中逐级长大,最后在末端反应釜中成长为预定粒径的球形四氧化三钴。 

虽然在某一反应釜中某些四氧化三钴可能生长的较快,但是当其生长到与该反应釜中设定温度和搅拌速度相对应的粒径时就会进入到下一级反应釜中继续生长,由于温度和搅拌速度的变化,使得原来生长速度较慢四氧化三钴颗粒的在新的环境下生长速度加快,而原来生长较快的四氧化三钴颗粒其生长速放慢,这样可以抵消上一级产生的粒径差别,依次类推,直到物料进入末端反应釜内生长成为预定粒径的球形四氧化三钴,由此可见该种连续式四氧化三钴制取装置可以使球形四氧化三钴的粒径分布更加均匀,从而提高四氧化三钴颗粒的合格率。 

附图说明

图1为本实用新型实施例所提供的连续式四氧化三钴制取装置的结构示意图。 

具体实施方式

本实用新型的核心是提供一种连续式四氧化三钴制取装置,该四氧化三钴制取装置是将多个反应釜由出料管串联起来,形成一个反应釜组,通过对各个反应釜设置不同的温度和搅拌速度使四氧化三钴颗粒在各个反应釜中逐级长大,从而使球形四氧化三钴的粒度分布更为均匀。 

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。 

请参考图1,图1为本实用新型实施例所提供的连续式四氧化三钴制取装置的结构示意图。 

本实用新型所公开的连续式四氧化三钴制取装置,包括多个由出料连接管3串联在一起的反应釜,并且在首端反应釜上设置有进料口9,末端反应釜上设置有出料口4。 

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