[实用新型]采用双锰铜设计抗外界磁场干扰的电路有效
| 申请号： | 201220498266.X | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202854203U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 姜干才;刘峥嵘;江少辉 | 申请（专利权）人： | 杭州炬华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/00 | 分类号： | G01R15/00;G01R15/14 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 曹绍文 |
| 地址： | 310030 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 双锰铜 设计 外界 磁场 干扰 电路 | ||
【权利要求书】：
1.采用双锰铜设计抗外界磁场干扰的电路，其特征在于：所述的双锰铜抗干扰电路包括形状结构相同且阻抗相同的两块锰铜片和绝缘隔离片，所述的两块锰铜片分为第一锰铜片和第二锰铜片，第一锰铜片叠合于第二锰铜片下侧，第一锰铜片与第二锰铜片之间夹有绝缘隔离片，第一锰铜片一侧设有第一采样线和第二采样线，第二锰铜片一侧设有第三采样线和第四采样线，第一采样线和第四采样线连接，第二采样线和第三采样线连接。
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